[发明专利]纳米管器件有效
| 申请号： | 200980105929.8 | 申请日： | 2009-01-20 |
| 公开（公告）号： | CN101952987A | 公开（公告）日： | 2011-01-19 |
| 发明（设计）人： | R·考尼斯托;A·伊萨克松;J·基纳雷特;E·坎贝尔;李相旭;A·埃里克松 | 申请（专利权）人： | 诺基亚公司 |
| 主分类号： | H01L51/05 | 分类号： | H01L51/05;B82B1/00;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 杨晓光;赵鹏华 |
| 地址： | 芬兰*** | 国省代码： | 芬兰;FI |
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| 摘要： | 一种器件，包括：纳米管，被配置为谐振器(54)；源极(51)；栅极(52)；漏极(53)；和至少一个阻止元件(55)，其中所述至少一个阻止元件(55)被配置为最小化由至少源极(51)和纳米管(54)之间的接触阻抗产生的能量损耗。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 器件 | ||
【主权项】：
一种器件，包括：纳米管，被配置为谐振器；源极；栅极；漏极；以及至少一个阻止元件，其中所述至少一个阻止元件被配置为最小化因至少所述源极和所述纳米管之间的接触阻抗产生的能量损耗。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
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