[发明专利]纳米管器件

权利要求书

1.一种器件，包括：

纳米管，被配置为谐振器；

源极；

栅极；

漏极；以及

至少一个阻止元件，其中所述至少一个阻止元件被配置为最小化因至少所述源极和所述纳米管之间的接触阻抗产生的能量损耗。

2.如权利要求1所述的器件，其中所述阻止元件包括固体绝缘材料层，并且所述纳米管的第一端部经由所述固体绝缘材料层耦接至所述源极，所述固体绝缘材料层位于所述纳米管和所述源极之间。

3.如权利要求1或2所述的器件，其中设置所述纳米管、所述源极、所述栅极、和所述漏极，使得所述纳米管的第二端部从所述源极、在所述栅极和所述漏极之上延伸。

4.如任意先前权利要求所述的器件，其中所述纳米管与所述源极进行第一电容接触，与所述栅极进行第二电容接触，以及与所述漏极进行第三电容接触，其中所述第一电容接触的电容大于所述第二和第三电容接触的电容。

5.如权利要求1所述的器件，其中所述至少一个阻止元件包括第一固体绝缘材料层和第二固体绝缘材料层，以及其中所述纳米管的第一端部经由所述第一固体绝缘材料层耦接至所述源极，所述第一固体绝缘材料层位于所述纳米管的第一端部和所述源极之间，以及所述纳米管的第二端部经由所述第二固体绝缘材料层耦接至所述漏极，所述第二固体绝缘材料层位于所述纳米管的第二端部和所述漏极之间。

6.如权利要求5所述的器件，其中设置所述纳米管、所述源极、所述栅极、和所述漏极，使得所述纳米管的在所述第一和第二端部之间的中部桥接所述源极和所述漏极之间的间隙，所述纳米管的中部通常被放置于所述栅极之上。

7.如权利要求5或6所述的器件，其中所述纳米管与所述源极进行第一电容接触，与所述栅极进行第二电容接触，以及与所述漏极进行第三电容接触，其中所述第一电容接触和所述第三电容接触的电容大于所述第二电容接触的电容。

8.如权利要求1所述的器件，其中所述至少一个阻止元件包括电感元件，所述电感元件与所述源极串联。

9.如权利要求8所述的器件，其中设置所述纳米管，使得所述纳米管的第一端部与所述源极的表面接触，以及所述纳米管的第二端部从所述源极、通常在所述栅极和所述漏极之上延伸。

10.如权利要求1所述的器件，其中所述至少一个阻止元件包括：

第一电感元件；以及

第二电感元件；其中所述第一电感元件与所述源极串联，以及所述第二电感元件与所述漏极串联。

11.如权利要求10所述的器件，其中设置所述纳米管，使得所述纳米管的第一端部与所述源极的表面接触，以及所述纳米管的第二端部与所述漏极的表面接触，以及所述纳米管的、在所述第一和第二端部之间的中部桥接所述源极和所述漏极之间的间隙，所述纳米管的中部通常被放置于所述栅极之上。

12.如任意先前权利要求所述的器件，其中所述源极、所述栅极、和所述漏极位于衬底的表面上。

13.如任意先前权利要求所述的器件，其中所述栅极通常位于所述源极和所述漏极之间。

14.如任意先前权利要求所述的器件，其中所述器件具有共振频率，所述共振频率通过向所述栅极施加偏置电压可改变。

15.一种器件，包括：纳米管，被配置为谐振器的至少一部分；源极；栅极；和漏极；其中所述纳米管的第一端部经由中间的固体绝缘材料层耦接至所述源极。

16.如权利要求15所述的器件，其中设置所述纳米管、所述源极、所述栅极、和所述漏极，使得所述纳米管的第二端部从所述源极、通常在所述栅极和所述漏极之上延伸。

17.如权利要求15所述的器件，其中所述纳米管的第一端部经由第一固体绝缘材料层耦接至所述源极，以及所述纳米管的第二端部经由中间的第二固体绝缘材料层耦接至所述漏极。

18.如权利要求17所述的器件，其中设置所述纳米管、所述源极、所述栅极、和所述漏极，使得所述纳米管的在所述第一和第二端部之间的中部桥接所述源极和所述漏极之间的间隙，所述纳米管的中部通常被放置于所述栅极之上。