[发明专利]纳米管器件

说明书

技术领域

本发明涉及包括纳米管电极的器件，以及涉及制造这种器件的方法。

背景技术

纳米管器件已知用于各种电应用中。由于他们的操作取决于机械运动，所以纳米管器件可称为纳米机电(HEMS)结构。

期望在可调谐射频(RF)滤波器技术中使用碳纳米管，因为其能够潜在地成为软件定义的和认知的无线电硬件的主使能器。

WO 03/078305描述了可用作滤波器的碳纳米管器件。

发明内容

本发明的第一方面提供一种器件，包括：纳米管，被配置为谐振器；源极；栅极；漏极；和至少一个阻止元件，其中所述至少一个阻止元件被配置为最小化由至少源极和纳米管之间的接触阻抗产生的能量损耗。

因此，所构成的器件可造成Q因子降低的减少。

所述阻止元件可以是固体绝缘材料层，并且所述纳米管的第一端部可经由所述固体绝缘材料层固定至所述源极，所述固体绝缘材料层位于所述纳米管和所述源极之间。

可设置所述纳米管、所述源极、所述栅极、和所述漏极，使得所述纳米管的第二端部从所述源极、在所述栅极和所述漏极之上延伸。

所述纳米管可与所述源极进行第一电容接触，与所述栅极进行第二电容接触，以及与所述漏极进行第三电容接触，其中所述第一电容接触的电容大于所述第二和第三电容接触的电容。

可替换地，所述至少一个阻止元件可包括第一固体绝缘材料层和第二固体绝缘材料层，以及其中所述纳米管的第一端部可经由所述第一固体绝缘材料层固定至所述源极，所述第一固体绝缘材料层位于所述纳米管的第一端部和所述源极之间，以及所述纳米管的第二端部可经由所述第二固体绝缘材料层固定至所述漏极，所述第二固体绝缘材料层位于所述纳米管的第二端部和所述漏极之间。

可设置所述纳米管、所述源极、所述栅极、和所述漏极，使得所述纳米管的在所述第一和第二端部之间的中部桥接所述源极和所述漏极之间的间隙，所述纳米管的中部通常被放置于所述栅极之上。

所述纳米管可与所述源极进行第一电容接触，与所述栅极进行第二电容接触，以及与所述漏极进行第三电容接触，其中所述第一电容接触和所述第三电容接触的电容大于所述第二电容接触的电容。

可替换地，所述至少一个阻止元件可包括电感元件，所述电感元件与所述源极串联。

可设置所述纳米管，使得所述纳米管的第一端部与所述源极的表面接触，以及所述纳米管的第二端部从所述源极、通常在所述栅极和所述电极之上延伸。

可替换地，所述至少一个阻止元件可包括：第一电感元件以及第二电感元件，其中所述第一电感元件与所述源极串联，以及所述第二电感元件与所述漏极串联。

可设置所述纳米管，使得所述纳米管的第一端部与所述源极的表面接触，以及所述纳米管的第二端部与所述漏极的表面接触，以及所述纳米管的在所述第一和第二端部之间的中部桥接所述源极和所述漏极之间的间隙，所述纳米管的中部通常被放置于所述栅极之上。

所述源极、所述栅极、和所述漏极可位于衬底的表面上，以及所述栅极通常可位于所述源极和所述漏极之间。

所述器件可具有共振频率，所述共振频率通过向所述栅极施加偏置电压可改变。

根据本发明的第二方面，提供一种器件，该器件包括：纳米管，被配置为谐振器；源极；栅极；和漏极；其中所述纳米管的第一端部经由中间的固体绝缘材料层固定至所述源极。

可设置所述纳米管、所述源极、所述栅极、和所述漏极，使得所述纳米管的第二端部从所述源极、通常在所述栅极和所述漏极之上延伸。

所述纳米管可与所述源极进行第一电容接触，与所述栅极进行第二电容接触，以及与所述漏极进行第三电容接触，其中所述第一电容接触的电容大于所述第二和第三电容接触的电容。

可替换地，所述纳米管的第一端部可经由第一固体绝缘材料层固定合至所述源极，以及所述纳米管的第二端部可经由中间的第二固体绝缘材料层固定或耦接至所述漏极。

可设置所述纳米管、所述源极、所述栅极、和所述漏极，使得所述纳米管的在所述第一和第二端部之间的中部桥接所述源极和所述漏极之间的间隙，所述纳米管的中部通常被放置于所述栅极之上。

所述纳米管可与所述源极进行第一电容接触，与所述栅极进行第二电容接触，以及与所述漏极进行第三电容接触，其中所述第一电容接触和所述第三电容接触的电容大于所述第二电容接触的电容。

所述源极、所述栅极、和所述漏极可位于衬底的表面上。

所述栅极通常可位于所述源极和所述漏极之间。

所述器件可具有共振频率，所述共振频率通过向所述栅极施加偏置电压可改变。