[发明专利]半导体存储器件与存储器混载半导体器件、及其制造方法

摘要

本发明提供一种半导体存储器件，使用MOS晶体管构成存储器单元部及外围电路部，且具有：衬底；绝缘膜，形成于所述衬底上；及平面状半导体层，形成于所述衬底上的绝缘膜上；所述存储器单元部的MOS晶体管的至少一部分及所述外围电路部的MOS晶体管的至少一部分含有：第1杂质区域，形成于所述平面状半导体层；柱状半导体层，形成于该平面状半导体层上；第2杂质区域，形成于该柱状半导体上部；及栅极，形成于该柱状半导体层的侧壁；所述至少一部分的外围电路部的MOS晶体管含有不同导电型的第1MOS晶体管与第2MOS晶体管；且形成有将该第1MOS晶体管的第1杂质区域的表面的至少一部分与第2MOS晶体管的第1杂质区域的表面的至少一部分予以连接的硅化物层。

主权项

一种半导体存储器件，使用MOS晶体管构成存储器单元部以及外围电路部，其特征在于，该半导体存储器件具有：衬底；绝缘膜，形成于所述衬底上；以及平面状半导体层，形成于所述衬底上的绝缘膜上；并且，所述存储器单元部的MOS晶体管的至少一部分以及所述外围电路部的MOS晶体管的至少一部分含有：第1杂质区域，形成于所述平面状半导体层；柱状半导体层，形成于该平面状半导体层上；第2杂质区域，形成于该柱状半导体上部；以及栅极，形成于该柱状半导体层的侧壁；所述至少一部分的外围电路部的MOS晶体管含有不同导电型的第1MOS晶体管与第2MOS晶体管；且形成有将该第1MOS晶体管的第1杂质区域的表面的至少一部分与该第2MOS晶体管的第1杂质区域的表面的至少一部分予以连接的硅化物层。