[实用新型]陶瓷封装的片式石英晶体频率器件无效
| 申请号： | 200920152931.8 | 申请日： | 2009-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN201509184U | 公开（公告）日： | 2010-06-16 |
| 发明（设计）人： | 姚一滨 | 申请（专利权）人： | 上海晶赛电子有限公司 |
| 主分类号： | H03H9/19 | 分类号： | H03H9/19;H03H9/02 |
| 代理公司： | 上海天协和诚知识产权代理事务所 31216 | 代理人： | 张恒康 |
| 地址： | 201800 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种陶瓷封装的片式石英晶体频率器件。该频率器件包括上、下盖板和晶片，晶片位于下盖板凹坑中，下盖板凹坑长度、宽度大于晶片长度、宽度，下盖板凹坑深度大于晶片厚度；该频率器件还包括内电极、外电极。本实用新型不仅结构简单、尺寸小、气密性好，而且可靠；制造频率器件方法不仅简单，而且制造成本低、效率高。 | ||
| 搜索关键词： | 陶瓷封装 石英 晶体 频率 器件 | ||
【主权项】：
一种陶瓷封装的片式石英晶体频率器件，包括上盖板、下盖板和晶片，在下盖板的内侧开有下盖板凹坑，晶片以导电胶固定位于下盖板凹坑中，其特征在于该频率器件的空腔由上盖板、下盖板凹坑组成，下盖板凹坑的长度和宽度大于晶片的长度和宽度，下盖板凹坑的深度大于晶片厚度；同时该频率器件还包括内电极和外电极，外电极位于下盖板外侧面上，内电极位于下盖板内侧面的凹坑两侧。
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