[实用新型]陶瓷封装的片式石英晶体频率器件无效
| 申请号: | 200920152931.8 | 申请日: | 2009-05-20 |
| 公开(公告)号: | CN201509184U | 公开(公告)日: | 2010-06-16 |
| 发明(设计)人: | 姚一滨 | 申请(专利权)人: | 上海晶赛电子有限公司 |
| 主分类号: | H03H9/19 | 分类号: | H03H9/19;H03H9/02 |
| 代理公司: | 上海天协和诚知识产权代理事务所 31216 | 代理人: | 张恒康 |
| 地址: | 201800 上*** | 国省代码: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 陶瓷封装 石英 晶体 频率 器件 | ||
1.一种陶瓷封装的片式石英晶体频率器件,包括上盖板、下盖板和晶片,在下盖板的内侧开有下盖板凹坑,晶片以导电胶固定位于下盖板凹坑中,其特征在于该频率器件的空腔由上盖板、下盖板凹坑组成,下盖板凹坑的长度和宽度大于晶片的长度和宽度,下盖板凹坑的深度大于晶片厚度;同时该频率器件还包括内电极和外电极,外电极位于下盖板外侧面上,内电极位于下盖板内侧面的凹坑两侧。
2.根据权利要求1所述的陶瓷封装的片式石英晶体频率器件,其特征在于,所述频率器件的上盖板和下盖板的长宽尺寸完全一致,且相对位置完全重合;同时,频率器件的端头棱边均设有圆弧倒角,以保证内电极引出后与外电极连接可靠。
3.根据权利要求1所述的陶瓷封装的片式石英晶体频率器件,其特征在于,所述该频率器件的上盖板上开有上盖板凹坑;上盖板凹坑的长度和宽度大于下盖板凹坑的长度和宽度。
4.根据权利要求1所述的陶瓷封装的片式石英晶体频率器件,其特征在于,所述下盖板凹坑包括上凹坑和下凹坑,所述上凹坑的长度和宽度大于下凹坑的长度和宽度。
5.根据权利要求4所述的陶瓷封装的片式石英晶体频率器件,其特征在于,所述下凹坑内有二处突起的支架,该支架的高度小于下凹坑的深度,支架长度方向的距离小于石英晶片长度。
6.根据权利要求4所述的陶瓷封装的片式石英晶体频率器件,其特征在于,该频率器件下盖板内侧内电极处设有电极凹坑,电极凹坑中用银浆印刷制备附加内电极,电极凹坑的深度不小于附加内电极的厚度。
7.根据权利要求1所述的陶瓷封装的片式石英晶体频率器件,特征在于,所述下盖板由一底板和一孔板粘结而成,孔板中间的通孔和底板共同构成下盖板凹坑。
8.根据权利要求7所述的陶瓷封装的片式石英晶体频率器件,特征在于,所述下盖板内中部表面设有内凹坑、四周设有防溢凹坑;所述内凹坑的长度和宽度小于石英晶片的长度和宽度,而防溢凹坑围绕着石英晶片;同时下盖板的防溢凹坑的外侧位置上还设有电极凹坑,电极凹坑中有用银浆印刷制备内电极,电极凹坑的深度不小于内电极的厚度。
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