[实用新型]陶瓷封装的片式石英晶体频率器件

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种晶体频率器件，具体涉及一种陶瓷封装的片式石英晶体频率器件。

背景技术

目前，石英晶体频率器件广泛地应用于通讯、电视、数码产品以及工业自动化等领域，用于产生时基振荡频率或进行选频。

石英晶体频率器件是利用石英晶体在交变电场的作用下，会产生机械振动的原理制作而成。因此，它可不受外界电磁干扰的影响。在使用中，不需要像其他频率元件那样，为防止电磁干扰而进行复杂的屏蔽。对电子产品的小型化、集成化有着相当积极的意义。

由于石英晶体振子是通过机械振动的方式进行工作。因此，它必须要有一个振动空间，也就是我们所说的石英晶体频率器件的振动空腔。现有的比较先进的石英晶体频率器件是本申请人于2004年11月23日申请的“独石型片式石英晶体频率器件及其制造方法”(申请号为：200410084466.0)，但是从实际使用来看，由于其下盖板凹坑的长度小于晶片的长度，这种型式的产品存在以下二大问题：

1、大批量生产时，在点胶上片(放置晶片)过程中，由于在平面操作，故晶片不能精确定位；部分晶片放置后位置偏移或歪斜等情况均有发生，造成工序合格率的明显下降。

2、在大片封装时，有时粘合剂会从上盖板与下盖板的结合处渗漏出来并延展至晶片附近甚至粘住晶片，从而影响产品的成品质量。

实用新型内容

本实用新型所要解决的技术问题是提供一种陶瓷封装的片式石英晶体频率器件。该片式石英晶体频率器件不仅产品尺寸小、气密性好，而且制造成本低、效率高。

为解决上述技术问题，一种陶瓷封装的片式石英晶体频率器件，包括上盖板、下盖板和晶片，在下盖板的内侧开有下盖板凹坑，晶片以导电胶固定位于下盖板凹坑中，该频率器件的空腔由上盖板、下盖板凹坑组成，下盖板凹坑的长度和宽度大于晶片的长度和宽度，下盖板凹坑的深度大于晶片厚度；同时该频率器件还包括内电极和外电极，外电极位于下盖板外侧面上，内电极位于下盖板内侧面的凹坑两侧。

所述的陶瓷封装的片式石英晶体频率器件，所述频率器件的端头棱边均设有圆弧倒角，以保证内电极引出后与外电极连接可靠；同时，上盖板和下盖板的长宽尺寸完全一致，且相对位置完全重合。

所述的陶瓷封装的片式石英晶体频率器件，所述该频率器件的上盖板上开有上盖板凹坑；上盖板凹坑的长度和宽度大于下盖板凹坑的长度和宽度。

所述的陶瓷封装的片式石英晶体频率器件，所述下盖板凹坑包括上凹坑和下凹坑，所述上凹坑的长度和宽度大于下凹坑的长度和宽度。

所述的陶瓷封装的片式石英晶体频率器件，所述下凹坑内有二处突起的支架，该支架的高度小于下凹坑的深度，支架长度方向的距离小于石英晶片长度。

所述的陶瓷封装的片式石英晶体频率器件，该频率器件下盖板内侧内电极处设有电极凹坑，电极凹坑中用银浆印刷制备附加内电极，电极凹坑的深度不小于附加内电极的厚度。

所述的陶瓷封装的片式石英晶体频率器件，所述下盖板由一底板和一孔板粘结而成，孔板中间的通孔和底板共同构成下盖板凹坑。

所述的陶瓷封装的片式石英晶体频率器件，所述下盖板内中部表面设有内凹坑、四周设有防溢凹坑；所述内凹坑的长度和宽度小于石英晶片的长度和宽度，而防溢凹坑围绕着石英晶片；同时下盖板的防溢凹坑的外侧位置上还设有电极凹坑，电极凹坑中有用银浆印刷制备内电极，电极凹坑的深度不小于内电极的厚度。

由于本实用新型的频率器件采用独特的结构设计，利用上、下盖板的凹坑或上盖板与下盖板的凹坑形成空腔，下盖板凹坑的长度和宽度大于晶片的长度和宽度，下盖板凹坑的深度是晶片厚度的2-3倍；采用带有凹坑的大陶瓷基片来替代带有支架的小陶瓷基座，避免了制作一个一个带有支架的陶瓷基座，省去了粘一个个小帽所需的价格昂贵的设备投资，不但提高了效率，而且降低了成本。此外，本实用新型将下盖板的长度设计成大于晶片的长度，使得点胶上晶片都在下盖板凹坑中进行，这样确保上片定位精确，提高了工序合格率。由于采用了这种独石结构所以产品可以做得很薄，最小厚度可以达到0.8mm；用真空蒸发的方法，在产品的切割端面制作引出电极与内、外电极接触良好连成一体，保证了产品的可靠性且不经受高温，保证了产品的气密性不受破坏。

附图说明

下面结合附图和实施方式对本实用新型作进一步的详细说明：

图1为本实用新型所述的频率器件的实施例1剖面图；