[实用新型]一种高效的大尺寸半导体致冷器件结构有效
申请号: | 200920138351.3 | 申请日: | 2009-05-18 |
公开(公告)号: | CN201514074U | 公开(公告)日: | 2010-06-23 |
发明(设计)人: | 梅立功 | 申请(专利权)人: | 厦门海库电子有限公司 |
主分类号: | F25B21/00 | 分类号: | F25B21/00 |
代理公司: | 厦门龙格专利事务所(普通合伙) 35207 | 代理人: | 娄烨明 |
地址: | 361000 福建省厦*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | 一种高效的大尺寸半导体致冷器件结构,包括碲-铋-锑合金晶粒阵列,散热片,所述的碲-铋-锑合金晶粒阵列直接设置在两个阳极氧化处理形成电绝缘层的铝散热片之间,尺寸与铝散热片的大小一致;两个铝散热片底面另加工形成与碲-铋-锑合金晶粒阵列相对应的金属铜层阵列;碲-铋-锑合金晶粒阵列可由电绝缘导热胶粘接在两铝散热片之间,也借由其上的铜片焊接在铝散热片底面的铜金属层上;本实用新型将两个铝散热片直接焊接或粘接在碲-铋-锑合金晶粒阵列上,省去中间介质氧化铝陶瓷板和导热硅胶,工作效率更高,且碲-铋-锑合金晶粒阵列尺寸与散热片大小一样,热量在散热面积上分布均匀,工作效率更高。 | ||
搜索关键词: | 一种 高效 尺寸 半导体 致冷 器件 结构 | ||
【主权项】:
一种高效的大尺寸半导体致冷器件结构,包括碲-铋-锑合金晶粒阵列,散热片,其特征在于:所述的碲-铋-锑合金晶粒阵列直接设置在两个阳极氧化处理形成电绝缘层的铝散热片之间,尺寸与铝散热片的大小一致。
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