[实用新型]双可控硅触发电路无效
| 申请号： | 200920135842.2 | 申请日： | 2009-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN201388190Y | 公开（公告）日： | 2010-01-20 |
| 发明（设计）人： | 陈万燕 | 申请（专利权）人： | 深圳市科陆变频器有限公司 |
| 主分类号： | H03K17/72 | 分类号： | H03K17/72 |
| 代理公司： | 深圳市科吉华烽知识产权事务所 | 代理人： | 胡吉科;汪飞亚 |
| 地址： | 518000广东省深圳*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型双可控硅触发电路，包括方波发生电路、方波放大电路、磁隔离电路、第一可控硅和第二可控硅，其特征在于，所述磁隔离电路包括第一隔离变压器和第二隔离变压器，所述第一隔离变压器的副边脉冲驱动所述第一可控硅，所述第二隔离变压器的副边脉冲驱动所述第二可控硅。本实用新型简化了双可控硅触发电路，节约了成本；同时，采用共模电感代替脉冲变压器，缩小了体积，节约了成本；更进一步地，采用隔直电容产生交流方波，以交流方波的正负半周分别驱动两个可控硅，大大降低了触发脉冲电流的大小，极大的降低了电源负载的波动，也避免了可控硅的误动作，使触发更加可靠；而且控制信号采用TTL电平，触发延时在10uS以内，不会对控制电路产生干扰。 | ||
| 搜索关键词： | 可控硅 触发 电路 | ||
【主权项】：
1.一种双可控硅触发电路，包括方波发生电路、方波放大电路、磁隔离电路，第一可控硅和第二可控硅，其特征在于，所述磁隔离电路包括第一隔离变压器和第二隔离变压器，所述第一隔离变压器的副边脉冲驱动所述第一可控硅，所述第二隔离变压器的副边脉冲驱动所述第二可控硅。
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