[实用新型]双可控硅触发电路无效
| 申请号： | 200920135842.2 | 申请日： | 2009-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN201388190Y | 公开（公告）日： | 2010-01-20 |
| 发明（设计）人： | 陈万燕 | 申请（专利权）人： | 深圳市科陆变频器有限公司 |
| 主分类号： | H03K17/72 | 分类号： | H03K17/72 |
| 代理公司： | 深圳市科吉华烽知识产权事务所 | 代理人： | 胡吉科;汪飞亚 |
| 地址： | 518000广东省深圳*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 可控硅 触发 电路 | ||
1.一种双可控硅触发电路，包括方波发生电路、方波放大电路、磁隔离电路，第一可控硅和第二可控硅，其特征在于，所述磁隔离电路包括第一隔离变压器和第二隔离变压器，所述第一隔离变压器的副边脉冲驱动所述第一可控硅，所述第二隔离变压器的副边脉冲驱动所述第二可控硅。
2、根据权利要求1所述的双可控硅触发电路，其特征在于，所述第一可控硅和第二可控硅反向并联，所述第一可控硅和第二可控硅为单向可控硅。
3、根据权利要求1所述的双可控硅触发电路，其特征在于，所述第一隔离变压器和第二隔离变压器采用共模电感。
4、根据权利要求3中任一所述的双可控硅触发电路，其特征在于，所述共模电感为10～18mH。
5、根据权利要求1所述的双可控硅触发电路，其特征在于，所述方波信号选通的控制采用TTL电平。
6、根据权利要求1所述的双可控硅触发电路，其特征在于，所述方波放大电路采用共基极的NPN三极管与PNP三极管串联。
7、根据权利要求6所述的双可控硅触发电路，其特征在于，所述方波放大电路中由达林顿管控制所述NPN三极管与PNP三极管的通断。
8、根据权利要求1所述的双可控硅触发电路，其特征在于，所述方波放大电路与磁隔离电路通过隔直电容连接，方波放大电路放大后的正方波信号经隔直电容变为交流波驱动第一可控硅和第二可控硅。
9、根据权利要求8所述的双可控硅触发电路，其特征在于，所述隔直电容为0.1uF的独石电容。
10、根据权利要求8所述的双可控硅触发电路，其特征在于，所述通过独石电容后产生的交流信号的正半波驱动第二可控硅，所述交流信号的负半波驱动第一可控硅。
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