[实用新型]双可控硅触发电路

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种可控硅触发电路，尤其涉及一种双可控硅的触发电路。

背景技术

在由可控硅构成的双向导通电路中，可由两个单向可控硅以背靠背方式反并联构成。传统的单向可控硅驱动电路如图1所示，通过微处理器输出的信号控制三极管的通断形成脉冲电流，脉冲变压器T1实现控制电路与主电路的电气隔离，脉冲变压器的副边脉冲通过二极管整流驱动单向可控硅。现有技术中，采用双可控硅反并联电路中有如下两种驱动方法：一种方案是采用两套独立的电路分别驱动，这个方案的缺点是：电路复杂，两套独立的电路分别驱动增加了成本，同时需要两路微处理器控制信号，占用较大的微处理器资源；另一种方案是两个可控硅的门极并接在一起，共用一个驱动信号，这种方案的缺点是瞬时驱动电流增大，电源的瞬时负载增大，容易引起电源的瞬时波动，同时，电路中使用的脉冲变压器体积比较大，成本比较高。

实用新型内容

本实用新型解决的技术问题是：克服现在技术中驱动电路复杂，电路成本高以及驱动电路易引起驱动电源波动的缺点，并增加驱动电路的可靠性。

本实用新型采取的技术方案是：包括方波发生电路、方波放大电路、磁隔离电路，第一可控硅和第二可控硅，其特征在于，所述磁隔离电路包括第一隔离变压器和第二隔离变压器，所述第一隔离变压器的副边脉冲驱动所述第一可控硅，所述第二隔离变压器的副边脉冲驱动所述第二可控硅。

本实用新型解决技术问题的进一步技术方案是：所述第一可控硅和第二可控硅反向并联，所述第一可控硅和第二可控硅为单向可控硅。

本实用新型解决技术问题的进一步技术方案是：所述第一隔离变压器和第二隔离变压器采用共模电感。

本实用新型解决技术问题的进一步技术方案是：所述共模电感为10～18mH。

本实用新型解决技术问题的进一步技术方案是：所述方波信号选通的控制采用TTL电平。

本实用新型解决技术问题的进一步技术方案是：所述方波放大电路采用共基极的NPN三极管与PNP三极管串联。

本实用新型解决技术问题的进一步技术方案是：所述方波放大电路中由达林顿管控制所述NPN三极管与PNP三极管的通断。

本实用新型解决技术问题的进一步技术方案是：所述方波放大电路与磁隔离电路通过隔直电容连接，方波放大电路放大后的正方波信号经隔直电容变为交流波驱动第一可控硅和第二可控硅。

本实用新型解决技术问题的进一步技术方案是：所述隔直电容为0.1uF的独石电容。

本实用新型解决技术问题的进一步技术方案是：所述通过独石电容后产生的交流信号的正半波驱动第二可控硅，所述交流信号的负半波驱动第一可控硅。

本实用新型技术解决技术问题的技术效果是：通过所述第一可控硅和第二可控硅反向并联，所述第一隔离变压器的副边脉冲驱动所述第一可控硅，所述第二隔离变压器的副边脉冲驱动所述第二可控硅，简化了双可控硅触发电路，节约了成本；同时，采用共模电感代替脉冲变压器，缩小了体积，节约了成本；更进一步地，采用隔直电容产生交流方波，以交流方波的正负半周分别驱动两个可控硅，大大降低了触发脉冲电流的大小，使触发更加可靠，同时极大的降低了电源负载的波动，也避免了可控硅的误动作；而且控制信号采用TTL电平，触发延时在10uS以内，不会对控制电路产生干扰。

附图说明

图1为现在技术中单向可控硅驱动电路图。

图2为本实用新型双可控硅触发电路图。

图3为本实用新型方波发生电路中产生的方波。

图4为本实用新型M点产生的波形。

图5为本实用新型N点产生的波形。

图6为本实用新型可控硅触发脉冲波形。

具体实施方式

下面结合具体实施例和附图对本实用新型技术方案进行进一步说明：

如图2所示，本实用新型双可控硅触发电路，包括方波发生电路、方波放大电路、磁隔离电路，所述磁隔离电路包括第一隔离变压器T1和第二隔离变压器T2，还包括第一可控硅Q1和第二可控硅Q2，所述第一可控硅Q1和第二可控硅Q2反向并联，所述第一隔离变压器T1的副边串联电阻R5后再与第一可控硅Q1的控制端连接，即所述第一隔离变压器T1的副边脉冲驱动所述第一可控硅Q1，所述第二隔离变压器T2的副边串联电阻R4后再与第二可控硅Q2的控制端连接，即所述第二隔离变压器T2的副边脉冲驱动所述第二可控硅Q2。本实用新型简化了双可控硅触发电路，节约了成本；同时，采用共模电感代替脉冲变压器，缩小了体积，节约了成本；