[实用新型]半导体保护用熔断器有效

专利信息
申请号: 200920067273.2 申请日: 2009-01-22
公开(公告)号: CN201352536Y 公开(公告)日: 2009-11-25
发明(设计)人: 林海鸥;陆志清;王兴逢 申请(专利权)人: 上海电器陶瓷厂有限公司
主分类号: H01H85/05 分类号: H01H85/05;H01H85/153
代理公司: 上海明成云知识产权代理有限公司 代理人: 周 成
地址: 200071*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 实用新型公开了一种半导体保护用熔断器,该熔断器包括熔管、熔体和触刀,触刀的点焊面上设有用于点焊定位的数道均匀且平行分布的划痕,数片熔体的两端均弯折并点焊在相应的划痕上。该熔断器结构简单、安装方便,通过划痕能够方便熔体的点焊定位,从而使得熔体之间保持对齐,可避免因熔体搭合而造成的温度升高,或熔断短路电流产生的拉弧引起爆炸,不但保证了熔断器的稳定性,而且还提高了其使用寿命;通过改变熔体的孔型,不但能够改良其电性能,而且还便于冲孔模的制作;另外,采用环氧玻璃纤维增强环绕绝缘管制作熔管,能够提高其耐高温和耐腐蚀性能。
搜索关键词: 半导体 保护 熔断器
【主权项】:
1.一种半导体保护用熔断器,该熔断器包括熔管、设于熔管内的熔体和设于熔管两端的触刀,其特征在于:所述的触刀的点焊面上设有用于点焊定位的数道均匀且平行分布的划痕,数片熔体的两端均弯折并点焊在相应的划痕上。
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