[实用新型]半导体保护用熔断器有效

专利信息
申请号: 200920067273.2 申请日: 2009-01-22
公开(公告)号: CN201352536Y 公开(公告)日: 2009-11-25
发明(设计)人: 林海鸥;陆志清;王兴逢 申请(专利权)人: 上海电器陶瓷厂有限公司
主分类号: H01H85/05 分类号: H01H85/05;H01H85/153
代理公司: 上海明成云知识产权代理有限公司 代理人: 周 成
地址: 200071*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 半导体 保护 熔断器
【说明书】:

技术领域

实用新型涉及熔断器技术,更具体地说,涉及一种半导体保护用熔断器。

背景技术

熔断器作为整流设备及其相关设备(包括变频器、软启动等)、半导体元件及其组成的成套设备的短路保护之用。请参阅图1、图2所示,目前,常见的半导体保护用熔断器10一般均包括熔管11、设于熔管11内的熔体12和设于熔管11两端的触刀13,触刀13的电焊面上设有多边形的台阶131,台阶131上设有两个钻孔132,数片熔体12和两端分别弯折并点焊在台阶131的四周,每片熔体12上开有数列菱形孔121。而两触刀13之间是通过两支撑杆14分别穿入钻孔132并连接固定,从而为熔体12提供支撑力。但是,在实际装配过程中,由于其装配精度要求较高,而两支撑杆14加工时,易会出现长短不一,从而造成触刀13发生偏移,使得两触刀13之间点焊的熔体12无法有效对齐,这样会导致该熔断器10的温升升高,造成稳定性下降,严重时熔断短路电流易产生拉弧,最终引起爆炸,大大降低了其使用寿命,另外,熔管11采用的是普通的绝缘管,其耐高温和耐腐蚀性较差。

实用新型内容

针对现有技术中存在的上述装配精度高且复杂、熔体不易对齐以及易发生爆炸的缺点,本实用新型的目的是提供一种半导体保护用熔断器,该熔断器结构简单、安装方便,能够有利于保证其稳定性。

为实现上述目的,本实用新型采用如下技术方案:

该半导体保护用熔断器包括熔管、设于熔管内的熔体和设于熔管两端的触刀,所述的触刀的点焊面上设有用于点焊定位的数道均匀且平行分布的划痕,数片熔体的两端均弯折并点焊在相应的划痕上。

所述的每片熔体上开有数列圆孔。

所述的熔管采用环氧玻璃纤维增强环绕绝缘管。

在上述技术方案中,本实用新型的半导体保护用熔断器包括熔管、熔体和触刀,触刀的点焊面上设有用于点焊定位的数道均匀且平行分布的划痕,数片熔体的两端均弯折并点焊在相应的划痕上。该熔断器结构简单、安装方便,通过划痕能够方便熔体的点焊定位,从而使得熔体之间保持对齐,可避免因熔体搭合而造成的温度升高,或熔断短路电流产生的拉弧引起爆炸,不但保证了熔断器的稳定性,而且还提高了其使用寿命;通过改变熔体的孔型,不但能够改良其电性能,而且还便于冲孔模的制作;另外,采用环氧玻璃纤维增强环绕绝缘管制作熔管,能够提高其耐高温和耐腐蚀性能。

附图说明

图1是现有技术的半导体保护用熔断器的结构剖视示意图;

图2是沿图1中A-A线的剖视图;

图3是本实用新型的半导体保护用熔断器的结构剖视示意图;

图4是沿图2中B-B线的剖视图。

具体实施方式

下面结合附图和实施例进一步说明本实用新型的技术方案。

请参阅图3、图4所示,本实用新型的半导体保护用熔断器20与现有技术基本相同,同样也包括熔管21、设于熔管21内的熔体22和设于熔管21两端的触刀23。不同的是,该熔断器20的触刀23的点焊面取消了原有的多边形台阶131以及支撑杆14(见图1、图2),而是在触刀23的点焊面上设置数道均匀且平行分布的用于点焊定位的划痕231,而数片熔体22的两端均弯折并直接点焊在相应的划痕231上(图4所示为熔体22的数量为六片)。这样一来,不但大大简化了熔断器20的结构,而且降低了安装难度,熔体22只需通过划痕231来进行点焊固定,保证了熔体22点焊设置的均匀对齐,可避免因熔体搭合而造成的温度升高,或熔断短路电流时引起拉弧,甚至造成爆炸,不但保证了熔断器20的稳定性,而且还提高了其使用寿命;每片熔体22均采用99.9%含量的纯银加工制作,并且熔体22上开有数列圆孔221,通过将原有的菱形孔131改为圆孔221结构,不但能够改良其电性能,提高其电压和电流等级,而且还能够便于冲孔模的制作,大大降低了加工难度以及成本。另外,熔管21采用环氧玻璃纤维增强环绕绝缘管,采用该材料的熔管21具有良好的耐高温和耐腐蚀性能。

综上所述,与原有的半导体保护用熔断器10相比,本实用新型的熔断器20结构简单、加工和安装方便,不但熔化特性稳定、使用寿命长,而且其电性能以及耐高温和耐腐蚀性能俱佳。

本技术领域中的普通技术人员应当认识到,以上的实施例仅是用来说明本实用新型,而并非用作为对本实用新型的限定,只要在本实用新型的实质精神范围内,对以上所述实施例的变化、变型都将落在本实用新型的权利要求书范围内。

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