[实用新型]半导体保护用熔断器有效
| 申请号： | 200920067273.2 | 申请日： | 2009-01-22 |
| 公开（公告）号： | CN201352536Y | 公开（公告）日： | 2009-11-25 |
| 发明（设计）人： | 林海鸥;陆志清;王兴逢 | 申请（专利权）人： | 上海电器陶瓷厂有限公司 |
| 主分类号： | H01H85/05 | 分类号： | H01H85/05;H01H85/153 |
| 代理公司： | 上海明成云知识产权代理有限公司 | 代理人： | 周 成 |
| 地址： | 200071*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 保护 熔断器 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体保护用熔断器，该熔断器包括熔管、设于熔管内的熔体和设于熔管两端的触刀，其特征在于：
所述的触刀的点焊面上设有用于点焊定位的数道均匀且平行分布的划痕，数片熔体的两端均弯折并点焊在相应的划痕上。
2.如权利要求1所述的半导体保护用熔断器，其特征在于：
所述的每片熔体上开有数列圆孔。
3.如权利要求1所述的半导体保护用熔断器，其特征在于：
所述的熔管采用环氧玻璃纤维增强环绕绝缘管。
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