[发明专利]动态随机存取存储器的测试方法有效

专利信息
申请号: 200910308085.9 申请日: 2009-10-08
公开(公告)号: CN102231286A 公开(公告)日: 2011-11-02
发明(设计)人: 林金辉 申请(专利权)人: 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司;鸿海精密工业股份有限公司
主分类号: G11C29/00 分类号: G11C29/00
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 518109 广东省深圳市*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 一种动态随机存取存储器(DRAM)的测试方法,包括:将DRAM存储的测试程序复制到RAM;将DRAM的起始物理地址和结束物理地址分别存储于CPU内的第一寄存器和第二寄存器;将测试字组数据写入到DRAM的起始物理地址上;从DRAM的起始物理地址上读取该测试字组数据;比较并判断所读取的数据是否与写入的数据相同;若相同,则将起始物理地址加一固定值,以形成下一个起始物理地址;判断下一个起始物理地址是否小于结束物理地址;若小于,则将测试字组数据写入到下一个起始物理地址上,以继续测试;及若大于或等于,则结束测试程序。本发明可以对DRAM的所有区域进行全面的检测,且能提高测试结果的精确度。
搜索关键词: 动态 随机存取存储器 测试 方法
【主权项】:
一种动态随机存取存储器(Dynamic Random Access Memory,DRAM)的测试方法,用于对DRAM进行全面检测,所述DRAM位于系统芯片(System on Chip,SoC)的外部,所述DRAM存储有测试程序,所述SoC包括中央处理器(CPU)及随机存取存储器(RAM),所述CPU包括有多个寄存器,其特征在于,所述方法包括:步骤(a):将所述DRAM存储的测试程序复制到所述RAM;步骤(b):将所述DRAM的起始物理地址存储于所述CPU内的第一寄存器;步骤(c):将所述DRAM的结束物理地址存储于所述CPU内的第二寄存器;步骤(d):将测试字组数据写入到所述CPU内的第一寄存器所存储的所述DRAM的起始物理地址上;步骤(e):从所述DRAM的起始物理地址上读取所述测试字组数据;步骤(f):比较并判断从所述DRAM的起始物理地址上所读取的测试字组数据是否与所写入的测试字组数据相同;步骤(g):若相同,则将所述CPU内第一寄存器所存储的所述DRAM的起始物理地址累加一固定值,以形成下一个起始物理地址;步骤(h):判断所述下一个起始物理地址是否小于所述CPU内第二寄存器所存储的所述DRAM的结束物理地址;步骤(i):若所述下一个起始物理地址小于所述CPU内第二寄存器所存储的所述DRAM的结束物理地址,则将测试字组数据写入到所述下一个起始物理地址上,并返回步骤(e)以继续测试;及步骤(j):若所述下一个起始物理地址大于或等于所述CPU内第二寄存器所存储的所述DRAM的结束物理地址,则返回测试结果并结束测试程序。
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