[发明专利]芯片型双电层电容器及其制造方法无效

专利信息
申请号: 200910265771.2 申请日: 2009-12-31
公开(公告)号: CN102044346A 公开(公告)日: 2011-05-04
发明(设计)人: 朴东燮;朴逸奎;郑昌烈;李相均;赵英洙;李圣镐 申请(专利权)人: 三星电机株式会社
主分类号: H01G9/155 分类号: H01G9/155;H01G9/058;H01G9/08
代理公司: 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 代理人: 余刚;吴孟秋
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要: 发明提供了一种芯片型双电层电容器及其制造方法,该电容器包括:下部盒体,具有内部空间和外部端子,内部空间的上表面是开口的,外部端子暴露于外部和内部空间的底部的各部分相互连接;双电层电容器单元,设置在下部盒体的内部空间中以与外部端子的暴露于内部空间的底部的部分电连接;以及顶盖,安装在下部盒体上以覆盖内部空间。
搜索关键词: 芯片 型双电层 电容器 及其 制造 方法
【主权项】:
一种芯片型双电层电容器,包括:下部盒体,具有内部空间和外部端子,所述内部空间的上表面是开口的,所述外部端子的暴露于外部和所述内部空间的底部的各部分相互连接;双电层电容器单元,设置在所述下部盒体的所述内部空间中,以与所述外部端子的暴露于所述内部空间的底部的部分电连接;以及顶盖,安装在所述下部盒体上以覆盖所述内部空间。
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