[发明专利]芯片型双电层电容器及其制造方法

权利要求书

1.一种芯片型双电层电容器，包括：

下部盒体，具有内部空间和外部端子，所述内部空间的上表面是开口的，所述外部端子的暴露于外部和所述内部空间的底部的各部分相互连接；

双电层电容器单元，设置在所述下部盒体的所述内部空间中，以与所述外部端子的暴露于所述内部空间的底部的部分电连接；以及

顶盖，安装在所述下部盒体上以覆盖所述内部空间。

2.根据权利要求1所述的芯片型双电层电容器，其中，所述外部端子包括：

第一端子部，具有暴露于所述下部盒体的内部空间的底部的边缘的一个表面；

第二端子部，沿着所述下部盒体的外部底面和外部侧面弯曲，以暴露从所述下部盒体的外部底面的边缘到与所述边缘相连接的所述外部侧面的一个表面；以及

第三端子部，通过从暴露于所述下部盒体的外部底面的所述第二端子部的一端竖直向上延伸穿过所述下部盒体而连接至所述第一端子部的一端。

3.根据权利要求2所述的芯片型双电层电容器，其中，所述第一端子部、第二端子部、以及第三端子部整体地相互连接。

4.根据权利要求2所述的芯片型双电层电容器，其中，与所述第一端子部和所述第二端子部中的每一个的暴露的一个表面相对的另一表面用所述下部盒体覆盖。

5.根据权利要求2所述的芯片型双电层电容器，其中，所述外部端子还包括通槽，形成于所述第三端子部的一部分中，并且填充有绝缘树脂。

6.根据权利要求1所述的芯片型双电层电容器，其中，通过对所述外部端子和绝缘树脂整体模塑来形成所述下部盒体。

7.根据权利要求1所述的芯片型双电层电容器，其中，通过焊接或超声焊接来结合所述下部盒体和所述顶盖。

8.根据权利要求1所述的芯片型双电层电容器，其中，所述双电层电容器单元包括：

第一集电体和第二集电体；

第一电极和第二电极，分别连接至所述第一集电体和第二集电体；以及

离子可渗透隔膜，形成在所述第一电极与所述第二电极之间。

9.根据权利要求1所述的芯片型双电层电容器，其中，通过焊接或超声焊接来连接所述外部端子和所述双电层电容器单元。

10.根据权利要求1所述的芯片型双电层电容器，其中，通过连续堆叠一个或多个第一集电体、第二集电体、第一电极和第二电极以及隔膜来形成所述双电层电容器单元。

11.根据权利要求1所述的芯片型双电层电容器，其中，通过卷绕第一电极和第二电极来形成所述双电层电容器单元。

12.一种用于制造芯片型双电层电容器的方法，包括以下步骤：

通过对外部端子和绝缘树脂整体地模塑来形成具有上表面开口的内部空间的下部盒体，其中，外部端子的暴露于所述内部空间的底部和所述下部盒体的外部的各部分相互连接；

在所述内部空间中安装双电层电容器单元以与所述外部端子的暴露于所述下部盒体的内部空间的底部的部分电连接；以及

在所述下部盒体上安装顶盖以覆盖所述内部空间。

13.根据权利要求12所述的方法，其中，在形成所述下部盒体的步骤中，所述外部端子包括：第一端子部，具有暴露于所述下部盒体的内部空间的底部的边缘的一个表面；第二端子部，沿着所述下部盒体的外部底面和外部侧面弯曲，以暴露从所述下部盒体的外部底面的边缘到连接至所述边缘的外部侧面的一个表面；以及第三端子部，通过从暴露于所述下部盒体的外部底面的所述第二端子部的一端竖直向上延伸穿过所述下部盒体而连接至所述第一端子部的一端。

14.根据权利要求13所述的方法，所述第一端子部、第二端子部、以及第三端子部整体地相互连接。

15.根据权利要求13所述的方法，其中，与所述第一端子部和所述第二端子部中的每一个的暴露的一个表面相对的另一表面用所述下部盒体覆盖。

16.根据权利要求13所述的方法，其中，通槽形成于所述第三端子部的一部分中，并且填充有所述绝缘树脂。

17.根据权利要求12所述的方法，其中，通过嵌件注塑来形成所述下部盒体。