[发明专利]在同一晶片上的集成的各种晶体管无效
| 申请号： | 200910262463.4 | 申请日： | 2009-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN101764098A | 公开（公告）日： | 2010-06-30 |
| 发明（设计）人： | F·皮亚扎;A·毛雷利 | 申请（专利权）人： | 恒忆公司 |
| 主分类号： | H01L21/8247 | 分类号： | H01L21/8247;H01L21/336;H01L21/28;H01L27/115;H01L29/78 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 杨胜军;蔡洪贵 |
| 地址： | 瑞士*** | 国省代码： | 瑞士;CH |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 不同类型的晶体管，例如存储器单元、更高电压以及更高性能的晶体管，可以在同一基底上形成。晶体管可以形成为具有被电介质覆盖的第一多晶硅层。在电介质上的第二多晶硅层可以被蚀刻以形成在晶体管的栅上的侧壁隔离物。侧壁隔离物可以用于形成源极和漏极，并且限定次平版印刷轻掺杂漏极。在去除隔离物之后，在下面的电介质可以保护轻掺杂漏极。 | ||
| 搜索关键词： | 同一 晶片 集成 各种 晶体管 | ||
【主权项】：
一种制造半导体装置的方法，包括：在基底上沉积和布图第一层多晶硅；在所述被布图的第一层上形成电介质；在所述电介质上形成第二层多晶硅；由所述第二层形成侧壁隔离物；以及去除所述侧壁隔离物而将下面的电介质留在所述基底上和所述第一层的侧面上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
