[发明专利]在同一晶片上的集成的各种晶体管

权利要求书

1.一种制造半导体装置的方法，包括：

在基底上沉积和布图第一层多晶硅；

在所述被布图的第一层上形成电介质；

在所述电介质上形成第二层多晶硅；

由所述第二层形成侧壁隔离物；以及

去除所述侧壁隔离物而将下面的电介质留在所述基底上和所述第一层的侧面上。

2.根据权利要求1所述的方法，其包括：使用所述第一层形成存储器单元和外围晶体管的栅。

3.根据权利要求2所述的方法，其包括：在所述外围晶体管处仅由所述第二层形成侧壁隔离物。

4.根据权利要求3所述的方法，其包括：使用所述侧壁隔离物作为掩模从所述外围晶体管的所述第一层的上面去除所述电介质。

5.根据权利要求1所述的方法，其包括：形成存储器阵列、在所述存储器阵列外的第一组晶体管以及在所述存储器阵列外的第二组晶体管，所述第一组晶体管为比所述第二组晶体管更高电压的晶体管。

6.根据权利要求5所述的方法，其包括：在形成所述第二组晶体管或者所述存储器阵列的栅之前形成所述更高电压晶体管的栅。

7.根据权利要求6所述的方法，其包括：在所述第一组晶体管上形成侧壁隔离物。

8.根据权利要求7所述的方法，其包括：在用于所述存储器阵列的第一层上以及在用于所述更高电压晶体管的第一层上形成所述电介质。

9.根据权利要求8所述的方法，其包括：形成用于更高电压晶体管的第一和第二电介质，并且应用所述第二层电介质作为用于所述存储器阵列的电介质。

10.根据权利要求1所述的方法，其包括：形成氧化物/氮化物/氧化物的所述电介质。

11.一种半导体器件，其包括：

微电子基底；

在所述基底中的轻掺杂漏极；

在所述基底中的源极和漏极；

在所述基底上的栅，所述轻掺杂漏极与所述栅自对准；以及

覆盖所述轻掺杂漏极但是不覆盖所述源极和漏极的电介质，所述电介质覆盖所述栅的侧面。

12.根据权利要求11所述的器件，其中所述电介质为氧化物/氮化物/氧化物叠层。

13.根据权利要求11所述的器件，其中所述轻掺杂漏极具有次平版印刷尺寸规格。

14.根据权利要求11所述的器件，其包括：形成在所述基底上的存储器阵列，所述晶体管在所述存储器阵列外。

15.根据权利要求14所述的器件，仅所述氧化物/氮化物/氧化物叠层的最低层被置于所述栅的顶部上。

16.根据权利要求15所述的器件，仅所述氧化物/氮化物/氧化物叠层的最低层被置于所述源极和漏极上。

17.根据权利要求14所述的器件，其包括：在所述基底上的存储器阵列和外围，所述外围包括第一组晶体管和第二组晶体管，所述第一组晶体管具有比所述第二组晶体管更高的电压，所述第一组晶体管的其中之一具有所述源极和漏极，以及覆盖所述轻掺杂漏极但是不覆盖所述源极和漏极的所述电介质。

18.根据权利要求17所述的器件，其中所述第二组晶体管比所述第一组性能更高。

19.根据权利要求11所述的器件，其中所述源极和漏极与所述栅自对准。

20.根据权利要求11所述的器件，所述电介质保护所述轻掺杂漏极免于自对准硅化。