[发明专利]基于电流熔断的多晶熔丝电路无效
| 申请号: | 200910254421.6 | 申请日: | 2009-12-21 |
| 公开(公告)号: | CN101740566A | 公开(公告)日: | 2010-06-16 |
| 发明(设计)人: | 刘帘曦;朱樟明;杨银堂;刘昌;章娜 | 申请(专利权)人: | 西安电子科技大学 |
| 主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02 |
| 代理公司: | 陕西电子工业专利中心 61205 | 代理人: | 王品华;朱红星 |
| 地址: | 710071*** | 国省代码: | 陕西;61 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | 本发明提供一种适用于半导体集成电路的电流熔断多晶熔丝电路,主要解决现有多晶熔丝电路面积过大的问题。它包括:多晶熔丝、熔断控制电路和输出变换器,该多晶熔丝串联在外部半导体集成电路电源与熔断控制结构之间;熔断控制电路由NMOS晶体管缓冲器和NMOS晶体管电平稳定器组成,串联在多晶熔丝与地之间,以产生熔断熔丝所需的大电流;输出变换器由反相器构成,输入端与熔断控制电路及多晶熔丝连接,输出端作为多晶熔丝电路的输出,以保证多晶熔丝电路输出标准数字逻辑电平。本发明减小了多晶熔丝电路面积,节省了芯片面积,降低了芯片成本,可用于半导体集成电路的修调。 | ||
| 搜索关键词: | 基于 电流 熔断 多晶 电路 | ||
【主权项】:
一种基于电流熔断的多晶熔丝电路,包括多晶熔丝,其特征在于多晶熔丝的一端与电源连接,另一端连接有熔断控制电路和输出变换器,该熔断控制电路主要由NMOS晶体管缓冲器(M1)和NMOS晶体管电平稳定器(M2)并联组成,用于产生熔断熔丝所需的大电流并保证输出电平稳定;该输出变换器主要由反相器构成,用于保证多晶熔丝电路输出电平是标准数字逻辑电平。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





