[发明专利]基于电流熔断的多晶熔丝电路

权利要求书

1.一种基于电流熔断的多晶熔丝电路，包括多晶熔丝(10)，其特征在于，所述多晶熔丝(10)的一端与电源(VDD)连接，另一端连接有熔断控制电路(20)和输出变换器(30)；

该熔断控制电路(20)主要由NMOS晶体管缓冲器(M1)和NMOS晶体管电平稳定器(M2)并联组成；

所述NMOS晶体管缓冲器(M1)的漏极与所述多晶熔丝(10)连接，栅极与熔丝熔断控制信号CONTROL连接，源极和衬底与地电平连接，该熔丝熔断控制信号控制NMOS晶体管缓冲器(M1)的开启，以产生熔断所述多晶熔丝(10)所需的大电流，并提供熔断所述多晶熔丝(10)的大电流到地电平之间的通路，使所述多晶熔丝熔断(10)；

所述NMOS晶体管电平稳定器(M2)的漏极与所述多晶熔丝(10)及NMOS晶体管缓冲器(M1)的漏极连接，栅极与偏置电压(Vbias)连接，源极和衬底与地电平连接，所述多晶熔丝电路开始工作后，该偏置电压控制NMOS晶体管电平稳定器(M2)一直开启，以保证所述多晶熔丝电路中的多晶熔丝(10)无论是否熔断，多晶熔丝电路输出均稳定；

该输出变换器(30)主要由反相器构成，用于保证所述多晶熔丝电路的输出电平是标准数字逻辑电平。

2.根据权利要求1所述的多晶熔丝电路，其特征在于所述NMOS晶体管缓冲器(M1)宽长比为300～600。

3.根据权利要求1所述的多晶熔丝电路，其特征在于NMOS晶体管电平稳定器(M2)的宽长比为1～10。

4.根据权利要求1所述的多晶熔丝电路，其特征在于所述NMOS晶体管电平稳定器(M2)的工作电流设为2～3微安。

5.根据权利要求1所述的多晶熔丝电路，其特征在于所述反相器的输入端与NMOS晶体管缓冲器(M1)的漏极、NMOS晶体管电平稳定器(M2)的漏极及所述多晶熔丝(10)连接，所述反相器的输出端作为所述多晶熔 丝电路的输出。

6.根据权利要求1～5中任一项所述的多晶熔丝电路，其特征在于所述反相器由PMOS晶体管(M3)与NMOS晶体管(M4)串联组成，该两管的宽长比相匹配。