[发明专利]存储器阵列及存储器的操作方法有效
| 申请号： | 200910254212.1 | 申请日： | 2009-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN101826366A | 公开（公告）日： | 2010-09-08 |
| 发明（设计）人： | 江志和;陈重光;陈汉松 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/06 | 分类号： | G11C16/06 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种存储器阵列，包括存储单元及全域位线。存储单元具有源极掺杂区及漏极掺杂区，且全域位线由选择晶体管耦合至源极掺杂区及漏极掺杂区。选择晶体管的连接关系被设计为：分别耦接至待读取的存储单元的源极及漏极的两条全域位线，各自的负载电容不会随着待读取的存储单元而变化。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 阵列 操作方法 | ||
【主权项】：
一种存储器阵列，包括：多个存储单元，具有作为多个源极与多个漏极的多个掺杂区；多条字符线，各该字符线耦接至所述存储单元的一列中的多个栅极电极；多条局部位线，各该局部位线耦接至所述掺杂区中的一行；以及多条全域位线，由多个选择晶体管耦接至所述局部位线，其中所述选择晶体管的连接关系被设计为：待读取的任意存储单元的该源极及该漏极分别耦接至两条相邻全域位线，且在该存储单元的读取中可能被充电的一最接近全域位线由至少一条其它全域位线与该两条相邻全域位线分隔。
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