[发明专利]存储器阵列及存储器的操作方法

说明书

技术领域

本发明是有关于一种集成电路的构造及其操作方法，且特别是有关于 一种适用于虚拟接地(virtual-ground)存储器阵列的存储器阵列结构，以 及一种存储器的操作方法。

背景技术

对于非挥发性存储器(non-volatile memory，NVM)而言，虚拟接地阵 列结构由于组件隔离结构的移除，而可用以节省阵列面积。然而，若源极 侧感测用于读取中，虚拟接地阵列会具有一些缺点。

图1所绘示为已知技术中的一种虚拟接地NVM阵列。举例来说，当存 储单元X1的左侧被选定进行读取，字符线WL_n被施加偏压介于两种储存状 态的阈值电压之间，选择线SEL2设成高电压以使得漏极电压V_d从全域位 线GBL0传出，且SEL1设成高电压以传出源极侧充电电压(source-side  charging voltage)，源极侧充电电压用以判断存储单元电流110。全域位 线GBL1依据存储单元电流的强度从接地被充电为某种程度的电压(V_s)，且 GBL 1在约50-200mV时完成感测。

然而，当存储单元X2-X5皆在低-Vt状态，其通道由WL_n上的电压被 全部开启，以致于形成电流路径120，通过耦接至SEL2及全域位线GBL2 的选择晶体管对GBL2进行充电。当位于存储单元X2-X5下方的四个存储 单元的通道被开启时，形成电流路径130。GBL2上的充电诱导电压 (charging-induced voltage)耦接至邻近的GBL1，以致于GBL1的负载电 容产生改变。因此，容易发生错误读取行为，尤其是当应用于感测裕度 (sensing window)较窄的多阶存储单元(multi-level cell，MLC)中时。

可由设定更多条选择线及增加可能被充电的全域位线与用于读取的 两条全域位线之间的距离，以降低负载电容的变化。图2所绘示为已知技 术中的一种虚拟接地NVM阵列。举例来说，当待读取的存储单元X1的左 侧为待读取时，且全域位线GBL1、GBL2被施加偏压，形成存储单元电流 210，且可形成两充电电流220、230。可能被充电的最接近全域位线为GBL5， GBL5与GBL2距离相当远，且在充电时不会影响后者。

然而，对于上述存储器阵列而言，GBL负载电容仍然具有相当多的变 化。举例来说，如下表1所示，当X的左侧为待读取时，GBL1为源极侧， 而GBL2为漏极侧，且邻近于GBL1的GBL0为浮置。当X3的左侧为待读取 时，GBL3为源极侧，GBL0为漏极侧，而邻近于GBL3的GBL4为浮置，且 GBL1及GBL2为浮置。故，当不同的存储单元为待读取时，源极-侧与漏极 -侧GBL负载电容会被改变。因此，仍然容易发生错误读取行为，尤其是 当应用于感测裕度较窄的多阶存储单元中时。

表1