[发明专利]存储器阵列及存储器的操作方法

权利要求书

1.一种存储器阵列，包括：

多个存储单元，具有作为多个源极与多个漏极的多个掺杂区；

多条字符线，各个所述的字符线耦接至所述存储单元的一行中的多个 栅极电极；

多条局部位线，各个所述的局部位线耦接至所述掺杂区中的一列；以 及

多条全域位线，由多个选择晶体管耦接至所述局部位线，其中

所述选择晶体管的连接关系被设计为：待读取的任意存储单元的该源 极及该漏极分别耦接至两条相邻全域位线，且在该存储单元的读取中可能 被充电的一最接近全域位线由至少一条其它全域位线与该两条相邻全域 位线分隔。

2.如权利要求1所述的存储器阵列，其中各个所述的全域位线由两个 选择晶体管耦接至两条局部位线。

3.如权利要求1所述的存储器阵列，其中所述选择晶体管的多个栅极 电极耦接至多条选择线，且耦接至连续多条全域位线的一定数“N₁”条的 任意组合的所述选择晶体管的所述栅极电极各自耦接至不同的一选择线， 其中N₁≥4。

4.如权利要求3所述的存储器阵列，其中该最接近全域位线由一定数 “N₂”条的其它全域位线与该两条相邻全域位线分隔，其中1≤N₂＜N₁。

5.如权利要求4所述的存储器阵列，其中N₂等于2。

6.如权利要求4所述的存储器阵列，其中

在一行中的连续多个存储单元的一定数“N₃”个组成一重复单元，且 其具有N₃个掺杂区，该N₃＞N₁，所述N₃个掺杂区从第一个存储单元的一侧 开始安设到第N₃-1个存储单元及第N₃个存储单元之间；

所述N₃个掺杂区依照一第一对应关系由N₃个选择晶体管耦接至所述 N₁条全域位线，且所述N₃个选择晶体管耦接至不同的N₃条选择线，而与 所述N₃条选择线具有一第二对应关系；以及

在任意其它重复单元中的所述N₃个掺杂区依照该第一对应关系耦接 至N₁条全域位线的另一组合，且与所述N₃条选择线具有该第二对应关系。

7.如权利要求6所述的存储器阵列，其中N₁＝4、N₂＝2、N₃＝8，且各个 所述的全域位线由两个选择晶体管及两条局部位线耦接至位于该重复单 元中的一对邻近存储单元两侧的两个掺杂区。

8.一种存储器阵列，包括：

多个存储单元，具有作为多个源极与多个漏极的多个掺杂区；

多条字符线，各个所述的字符线耦接至所述存储单元的一行中的多个 栅极电极；

多条局部位线，各个所述的局部位线耦接至所述掺杂区中的一列；以 及

多条全域位线，由多个选择晶体管耦接至由多条选择线所控制的所述 局部位线，其中在所述全域位线中，

一第一全域位线，耦接至由一第一选择线所控制的一第一选择晶体 管，

一第二全域位线，邻近于该第一全域位线，且耦接至由一第二选择线 所控制的一第二选择晶体管，

一第三全域位线，由至少一条其它全域位线与该第一全域位线及第二 全域位线分隔，且耦接至由该第一选择线所控制的一第三选择晶体管。

9.如权利要求8所述的存储器阵列，其中在所述全域位线中，一第四 全域位线邻近于该第三全域位线，但不邻近于该第一全域位线及第二全域 位线，且耦接至由该第二选择线所控制的一第四选择晶体管。