[发明专利]半导体集成电路无效
| 申请号： | 200910253762.1 | 申请日： | 2009-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN101764112A | 公开（公告）日： | 2010-06-30 |
| 发明（设计）人： | 园原英雄 | 申请（专利权）人： | 恩益禧电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/482 | 分类号： | H01L23/482;H01L23/544 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 孙志湧;穆德骏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体集成电路。根据本发明的示例性实施例的半导体集成电路包括被提供在半导体芯片中的I/O缓冲器、单层焊盘、以及多层焊盘。单层焊盘形成在I/O缓冲器的上方。多层焊盘与单层焊盘分离地形成在I/O缓冲器的上方。单层焊盘是专用于焊接的焊盘，并且多层焊盘是对其执行探针探测和焊接的焊盘。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 集成电路 | ||
【主权项】：
一种半导体集成电路，包括：I/O缓冲器，所述I/O缓冲器被提供在半导体芯片上；单层焊盘，所述单层焊盘形成在所述I/O缓冲器的上方；以及多层焊盘，所述多层焊盘与所述单层焊盘分离地形成在所述I/O缓冲器的上方。
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