[发明专利]半导体集成电路无效
| 申请号： | 200910253762.1 | 申请日： | 2009-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN101764112A | 公开（公告）日： | 2010-06-30 |
| 发明（设计）人： | 园原英雄 | 申请（专利权）人： | 恩益禧电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/482 | 分类号： | H01L23/482;H01L23/544 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 孙志湧;穆德骏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 集成电路 | ||
1.一种半导体集成电路，包括：
I/O缓冲器，所述I/O缓冲器被提供在半导体芯片上；
单层焊盘，所述单层焊盘形成在所述I/O缓冲器的上方；以及
多层焊盘，所述多层焊盘与所述单层焊盘分离地形成在所述I/O缓冲器的上方。
2.根据权利要求1所述的半导体集成电路，其中所述单层焊盘是专用于焊接的焊盘。
3.根据权利要求1所述的半导体集成电路，其中所述多层焊盘是对其至少执行探测的焊盘。
4.根据权利要求3所述的半导体集成电路，其中所述多层焊盘是对其进一步执行焊接的焊盘。
5.根据权利要求1所述的半导体集成电路，其中所述多层焊盘每个都具有在其上形成的探针标记。
6.根据权利要求1所述的半导体集成电路，其中
以交错的方式布置所述单层焊盘和所述多层焊盘，并且
所述单层焊盘被布置在所述半导体芯片的所述多层焊盘的内部。
7.根据权利要求6所述的半导体集成电路，进一步包括I/O缓冲器电源加强线，所述I/O缓冲器电源加强线被连接至所述I/O缓冲器，
其中所述单层焊盘形成在所述I/O缓冲器电源加强线的上方。
8.根据权利要求6所述的半导体集成电路，进一步包括：
内部芯电路，所述内部芯电路形成在所述半导体芯片的所述单层焊盘和所述多层焊盘的内部；以及
内部芯电源加强线，所述内部芯电源加强线被连接至所述内部芯电路，
其中所述单层焊盘形成在所述内部芯电源加强线的上方。
9.根据权利要求7所述的半导体集成电路，进一步包括I/O环状电源线，所述I/O环状电源线被连接至所述I/O缓冲器，
其中所述单层焊盘形成在所述I/O环状电源线的上方。
10.根据权利要求1所述的半导体集成电路，进一步包括：
内部芯电路，所述内部芯电路形成在所述半导体芯片的所述多层焊盘的内部；以及
内部芯电源加强线，所述内部芯电源加强线被连接至所述内部芯电路，其中
沿着所述半导体芯片的周围部分布置所述多层焊盘，并且
所述单层焊盘形成在所述内部芯电源加强线的上方。
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