[发明专利]像素结构

摘要

一种像素结构包括一扫描线、一数据线、一栅极、一半导体层、一源极、一漏极、一延伸电极及一像素电极。扫描线与数据线交错并电性绝缘。栅极电性连接至扫描线。半导体层位于栅极上。源极位于半导体图案上且连接至数据线。漏极包括一接触部、一电极部及一连接部。接触部位于栅极外，电极部位于半导体图案上。连接部由接触部沿一方向延伸以连接至电极部并与栅极部分重叠。像素电极连接接触部。延伸电极连接扫描线。延伸电极的一末端沿方向指向半导体层以与漏极重叠。连接部的一第一宽度与延伸电极的一第二宽度相等。

主权项

一种像素结构，包括：一扫描线以及一数据线，彼此交错并且电性绝缘；一栅极，电性连接至该扫描线；一半导体层，位于该栅极上方；一源极，至少位于该半导体图案上并连接至该数据线；一漏极，至少位于该半导体图案上，该漏极包括：一接触部，位于该栅极之外；一电极部，位于该半导体图案上；一连接部，由该接触部沿一方向延伸以连接至该电极部并与该栅极部分重叠，且该连接部具有一第一宽度；一延伸电极，连接该扫描线，且该延伸电极的一末端沿该方向指向该半导体层并与该漏极重叠，而该延伸电极具有一第二宽度，且该第一宽度等于该第二宽度；以及一像素电极，连接该漏极的该接触部。