[发明专利]像素结构

权利要求书

1.一种像素结构，包括：

一扫描线以及一数据线，彼此交错并且电性绝缘；

一栅极，电性连接至该扫描线；

一半导体层，位于该栅极上方；

一源极，至少位于该半导体图案上并连接至该数据线；

一漏极，至少位于该半导体图案上，该漏极包括：一接触部，位于该 栅极之外；一电极部，位于该半导体图案上；一连接部，由该接触部沿一 方向延伸以连接至该电极部并与该栅极部分重叠，且该连接部具有一第一 宽度；

一延伸电极，连接该扫描线，且该延伸电极的一末端沿该方向指向该 半导体层并与该漏极重叠，而该延伸电极具有一第二宽度，且该第一宽度 等于该第二宽度，并且该半导体层更配置于该延伸电极与该漏极之间且位 于该延伸电极与该漏极重叠区域；以及

一像素电极，连接该漏极的该接触部。

2.如权利要求1所述的像素结构，其中该延伸电极远离该末端的一 端连接于该扫描线。

3.如权利要求2所述的像素结构，其中该延伸电极的形状为L形。

4.如权利要求2所述的像素结构，其中该延伸电极为U型。

5.如权利要求1所述的像素结构，其中该漏极的该电极部为一U型 部，以围绕该源极，且该U型部具有一底部以及垂直于该底部延伸的两 分支。

6.如权利要求5所述的像素结构，其中该漏极的该连接部连接该U 型部的该底部或其中一该分支。

7.如权利要求1所述的像素结构，其中该源极为一U型源极，U型 源极围绕该漏极的该电极部。

8.如权利要求6所述的像素结构，其中该漏极的该电极部与该连接 部连接成一长条图案。

9.如权利要求1所述的像素结构，其中该漏极更包括一凸出部，该 接触部位于该连接部与该凸出部之间，且该凸出部平行该方向而与该延伸 电极重叠。

10.如权利要求1所述的像素结构，其中该漏极更包括一凸出部，平 行该栅极的边缘而不与该闸极重迭，且该凸出部连接于该接触部而与该延 伸电极重叠。

11.如权利要求1所述的像素结构，其中该漏极为一体成型。

12.如权利要求1所述的像素结构，其中该源极与该数据线为一体成 型。

13.如权利要求1所述的像素结构，其中该栅极位于该扫描线中。

14.如权利要求13所述的像素结构，其中该延伸电极连接该栅极。

15.如权利要求1所述的像素结构，其中该栅极由该扫描线凸出。