[发明专利]晶片晶背研磨工艺有效
| 申请号： | 200910246347.3 | 申请日： | 2009-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN102039556A | 公开（公告）日： | 2011-05-04 |
| 发明（设计）人： | 陈仁君 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | B24B37/04 | 分类号： | B24B37/04 |
| 代理公司： | 北京市浩天知识产权代理事务所 11276 | 代理人： | 刘云贵 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种晶片晶背研磨工艺。首先提供第一组件与第二组件，该第一组件包括第一半导体晶片，而该第二组件包括第二半导体晶片，其中该第一、第二组件利用介于该第一、第二半导体晶片的有源面之间的至少一热融胶膜粘合在一起，接着利用该第二组件作为载具，研磨该第一半导体晶片的晶背，然后研磨该第二半导体晶片的晶背。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片 研磨 工艺 | ||
【主权项】：
一种晶片晶背研磨工艺，包含有：提供待处理工作件，其包含有第一组件与第二组件，该第一组件包括第一半导体晶片，而该第二组件包括第二半导体晶片，其特征在于该第一、第二组件利用介于该第一、第二半导体晶片的有源面之间的至少一热融胶膜粘合在一起；将该待处理工作件上载至晶片研磨机台中；利用该第二组件作为载具，研磨该第一半导体晶片的晶背；研磨该第二半导体晶片的晶背；以及将该待处理工作件从该晶片研磨机台卸载下来。
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