[发明专利]晶片晶背研磨工艺

权利要求书

1.一种晶片晶背研磨工艺，包含有：

提供待处理工作件，其包含有第一组件与第二组件，该第一组件包括第一半导体晶片，而该第二组件包括第二半导体晶片，其特征在于该第一、第二组件利用介于该第一、第二半导体晶片的有源面之间的至少一热融胶膜粘合在一起；

将该待处理工作件上载至晶片研磨机台中；

利用该第二组件作为载具，研磨该第一半导体晶片的晶背；

研磨该第二半导体晶片的晶背；以及

将该待处理工作件从该晶片研磨机台卸载下来。

2.根据权利要求1所述的晶片晶背研磨工艺，其特征在于该第一组件包含有第一中间支撑基板，且该第一中间支撑基板与该第一半导体晶片的有源面粘合在一起。

3.根据权利要求2所述的晶片晶背研磨工艺，其特征在于该第一中间支撑基板包含有第一高分子膜、设于该第一高分子膜的上表面的第一热融胶膜，以及设于该第一高分子膜的下表面的第一UV胶膜。

4.根据权利要求3所述的晶片晶背研磨工艺，其特征在于该第一高分子膜的厚度介于200微米至700微米。

5.根据权利要求3所述的晶片晶背研磨工艺，其特征在于该第一高分子膜包含有聚亚酰胺、聚烯烃或聚丙烯腈。

6.根据权利要求1所述的晶片晶背研磨工艺，其特征在于该第二组件包含有第二中间支撑基板，且该第二中间支撑基板与该第二半导体晶片的有源面粘合在一起。

7.根据权利要求6所述的晶片晶背研磨工艺，其特征在于该第二中间支撑基板包含有第二高分子膜、设于该第二高分子膜的上表面的第二热融胶膜，以及设于该第二高分子膜的下表面的第二UV胶膜。

8.根据权利要求7所述的晶片晶背研磨工艺，其特征在于该第二高分子膜的厚度介于200微米至700微米。

9.根据权利要求7所述的晶片晶背研磨工艺，其特征在于该第二高分子膜包含有聚亚酰胺、聚烯烃或聚丙烯腈。