[发明专利]一种芯片的ESD测试方法有效
| 申请号： | 200910244499.X | 申请日： | 2009-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN102116806A | 公开（公告）日： | 2011-07-06 |
| 发明（设计）人： | 刘子熹 | 申请（专利权）人： | 无锡中星微电子有限公司 |
| 主分类号： | G01R29/08 | 分类号： | G01R29/08;G01R27/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 214028 江苏省无锡市新区长江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种芯片的ESD测试方法，所述芯片包括至少两个域，每个域都包括有电源管脚、接地管脚和信号管脚，所述方法包括：对于每个域内的每个信号管脚，选择该信号管脚作为第一待测信号管脚；在每个其他域内都选择且仅选择一个信号管脚作为第二待测信号管脚，其中所述信号管脚与第一待测信号管脚之间的静电释放能力较所述信号管脚所在的域内的其他信号管脚与第一待测信号管脚之间的静电释放能力差；在第一待测信号管脚和第二待测信号管脚之间进行ESD测试。本发明中的所述测试方法不但可以提高信号管脚之间的ESD测试速度，还可以有效提高信号管脚之间的ESD测试准确性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 芯片 esd 测试 方法 | ||
【主权项】：
一种芯片的ESD测试方法，所述芯片包括至少两个域，每个域包括有电源管脚、接地管脚和信号管脚，其特征在于，所述方法包括：对于每个域内的每个信号管脚，选择该信号管脚作为第一待测信号管脚；在每个其他域内选择且仅选择一个信号管脚作为第二待测信号管脚，其中第二待测信号管脚与第一待测信号管脚之间的静电释放能力较第二待测信号管脚所在的域内的其他信号管脚与第一待测信号管脚之间的静电释放能力差；和在第一待测信号管脚和第二待测信号管脚之间进行ESD测试。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于无锡中星微电子有限公司，未经无锡中星微电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200910244499.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
