[发明专利]一种芯片的ESD测试方法有效
| 申请号： | 200910244499.X | 申请日： | 2009-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN102116806A | 公开（公告）日： | 2011-07-06 |
| 发明（设计）人： | 刘子熹 | 申请（专利权）人： | 无锡中星微电子有限公司 |
| 主分类号： | G01R29/08 | 分类号： | G01R29/08;G01R27/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 214028 江苏省无锡市新区长江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 芯片 esd 测试 方法 | ||
1.一种芯片的ESD测试方法，所述芯片包括至少两个域，每个域包括有电源管脚、接地管脚和信号管脚，其特征在于，所述方法包括：
对于每个域内的每个信号管脚，选择该信号管脚作为第一待测信号管脚；
在每个其他域内选择且仅选择一个信号管脚作为第二待测信号管脚，其中第二待测信号管脚与第一待测信号管脚之间的静电释放能力较第二待测信号管脚所在的域内的其他信号管脚与第一待测信号管脚之间的静电释放能力差；和
在第一待测信号管脚和第二待测信号管脚之间进行ESD测试。
2.根据权利要求1所述的ESD测试方法，其特征在于：所述在第一待测信号管脚和第二待测信号管脚之间进行ESD测试包括：
测量第一待测信号管脚和第二待测信号管脚之间的电阻得到第一电阻值；
在第一待测信号管脚和第二待测信号管脚之间施加瞬时高压以模拟静电释放；
再次测量第一待测信号管脚和第二待测信号管脚之间的电阻得到第二电阻值；和
比较第一电阻值和第二电阻值是否有变化，如果没有变化，则说明第一待测信号管脚和第二待测信号管脚之间的ESD测试通过，如果有变化，则说明第一待测信号管脚和第二待测信号管脚之间的ESD测试未通过。
3.根据权利要求1所述的ESD测试方法，其特征在于：两个信号管脚之间的静电释放能力是由它们之间的静电释放通路上的电阻决定的。
4.根据权利要求3所述的ESD测试方法，其特征在于：两个信号管脚之间的静电释放通路上的电阻与它们在芯片管脚排布上的距离是对应的。
5.一种芯片的ESD测试方法，所述芯片包括至少两个域，每个域包括有电源管脚、接地管脚和信号管脚，其特征在于，其包括：
对于每个域内的每个信号管脚，选择该信号管脚作为第一待测信号管脚；
在其他域中内选择且仅选择一个信号管脚作为第二待测信号管脚，其中第二待测信号管脚与第一待测信号管脚之间的静电释放能力较其他信号管脚与第一待测信号管脚之间的静电释放能力差；和
在第一待测信号管脚和第二待测信号管脚之间进行ESD测试。
6.根据权利要求5所述的ESD测试方法，其特征在于：所述在第一待测信号管脚和第二待测信号管脚之间进行ESD测试包括：
测量第一待测信号管脚和第二待测信号管脚之间的电阻得到第一电阻值；
在第一待测信号管脚和第二待测信号管脚之间施加瞬时高压以模拟静电释放；
再次测量第一待测信号管脚和第二待测信号管脚之间的电阻得到第二电阻值；和
比较第一电阻值和第二电阻值是否有变化，如果没有变化，则说明第一待测信号管脚和第二待测信号管脚之间的ESD测试通过，如果有变化，则说明第一待测信号管脚和第二待测信号管脚之间的ESD测试未通过。
7.根据权利要求5所述的ESD测试方法，其特征在于：两个信号管脚之间的静电释放能力是由它们之间的静电释放通路上的电阻决定的。
8.根据权利要求7所述的ESD测试方法，其特征在于：两个信号管脚之间的静电释放通路上的电阻与它们之间在芯片管脚排布上的距离是对应的。
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