[发明专利]增强型线性梯度掺杂的GaAs平面耿氏二极管及其制作方法无效
| 申请号： | 200910238762.4 | 申请日： | 2009-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN102074651A | 公开（公告）日： | 2011-05-25 |
| 发明（设计）人： | 黄杰;杨浩;董军荣;吴茹菲;张海英 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L47/02 | 分类号： | H01L47/02 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种增强型线性梯度掺杂GaAs平面耿氏二极管，包括：用于支撑整个GaAs平面耿氏二极管的半导体绝缘衬底；在半导体绝缘衬底上外延生长的高掺杂下底面N+层；在下底面N+层上继续外延生长的线性梯度掺杂N型层；在线性梯度掺杂N型层上外延生长的N-型层；在N-型层上外延生长的高掺杂上表面N+层；经过挖岛和隔离两个工艺步骤，在下底面N+层和上表面N+层上形成的台面结构；在上表面N+型层上蒸发金属形成欧姆接触的上电极；以及在下底面N+型层上蒸发金属形成欧姆接触的下电极。本发明同时公开了一种增强型线性梯度掺杂GaAs平面耿氏二极管的制作方法。利用本发明，提高了毫米波、亚毫米波范围振荡电路的工作频率，增强了直流到射频信号的转换效率。 | ||
| 搜索关键词： | 增强 线性 梯度 掺杂 gaas 平面 耿氏二极管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种增强型线性梯度掺杂GaAs平面耿氏二极管，其特征在于，该二极管包括：用于支撑整个GaAs平面耿氏二极管的半导体绝缘衬底；在半导体绝缘衬底上外延生长的高掺杂下底面N+层；在下底面N+层上继续外延生长的线性梯度掺杂N型层；在线性梯度掺杂N型层上外延生长的N‑型层；在N‑型层上外延生长的高掺杂上表面N+层；经过挖岛和隔离两个工艺步骤，在下底面N+层和上表面N+层上形成的台面结构；在上表面N+型层上蒸发金属形成欧姆接触的上电极；以及在下底面N+型层上蒸发金属形成欧姆接触的下电极。
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