[发明专利]增强型线性梯度掺杂的GaAs平面耿氏二极管及其制作方法

权利要求书

1.一种增强型线性梯度掺杂GaAs平面耿氏二极管，其特征在于，该二极管包括：

用于支撑整个GaAs平面耿氏二极管的半导体绝缘衬底；

在半导体绝缘衬底上外延生长的高掺杂下底面N⁺层；

在下底面N⁺层上继续外延生长的线性梯度掺杂N型层；

在线性梯度掺杂N型层上外延生长的N^-型层；

在N^-型层上外延生长的高掺杂上表面N⁺层；

经过挖岛和隔离两个工艺步骤，在下底面N⁺层和上表面N⁺层上形成的台面结构；

在上表面N⁺型层上蒸发金属形成欧姆接触的上电极；以及

在下底面N⁺型层上蒸发金属形成欧姆接触的下电极。

2. 根据权利要求1所述的GaAs平面耿氏二极管，其特征在于，所述半导体绝缘衬底是半导体绝缘GaAs衬底。

3.根据权利要求1所述的GaAs平面耿氏二极管，其特征在于，所述N型层与所述N^-型层之间的交界处为低掺杂，所述N型层与所述下表面N⁺层之间的交界处为高掺杂；从N型层与N^-型层之间界面到下表面N⁺层与N层界面之间的掺杂浓度满足线性梯度掺杂分布。

4.一种GaAs平面耿氏二极管的制作方法，其特征在于，该方法包括：

A、在半导体绝缘衬底上外延生长高掺杂的下底面N⁺层；

B、在下底面N⁺层上外延生长的线性梯度掺杂的N型层；

C、在线性梯度掺杂的N型层上生长的N^-型层；

D、在N^-型层上生长的高掺杂的上表面N⁺层；

E、采用湿法刻蚀减小上表面N⁺层和下底面N⁺层的面积，形成上表面N⁺层与下底面N⁺层的台面结构；

F、在上表面N⁺层和下底面N⁺层上分别蒸发金属形成欧姆接触；

G、采用湿法刻蚀，形成半导体绝缘衬底的台面结构；在该半导体绝缘衬底的台面结构上蒸发金属形成上、下电极引线，通过制作空气桥把上表面N⁺型层上的电极引出。

5.根据权利要求4所述的GaAs平面耿氏二极管的制作方法，其特征在于，所述半导体绝缘衬底是半导体绝缘GaAs衬底。

6.根据权利要求4所述的GaAs平面耿氏二极管的制作方法，其特征在于，所述在半导体绝缘衬底的台面结构上蒸发金属形成的上、下电极引线采用的金属为Ti/Pt/Au。