[发明专利]一种降低硅基薄膜电池串联电阻的工艺无效
| 申请号： | 200910238575.6 | 申请日： | 2009-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN101707229A | 公开（公告）日： | 2010-05-12 |
| 发明（设计）人： | 李宝胜;罗小平;张发荣 | 申请（专利权）人： | 新奥光伏能源有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/0224 |
| 代理公司： | 北京连城创新知识产权代理有限公司 11254 | 代理人： | 刘伍堂 |
| 地址： | 065001 河北省*** | 国省代码： | 河北;13 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明属于半导体太阳能薄膜电池加工领域，特别涉及一种降低硅基薄膜电池串联电阻的加工工艺。本发明在背电极镀制工艺前加入清洗/离子轰击等工艺方案；在现有激光划线之后，通过清洗或者等离子轰击工艺在TCO表面产生绒面，增加TCO与后续金属层的接触面积，从而减小接触电阻，降低电池的串联电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 降低 薄膜 电池 串联 电阻 工艺 | ||
【主权项】：
一种降低硅基薄膜电池串联电阻的工艺，其特征在于，在PVD工序前，对激光划线后的TCO薄膜进行清洗工序或者等离子轰击工序或者先后执行上述两种工序。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
