[发明专利]一种降低硅基薄膜电池串联电阻的工艺

权利要求书

1.一种降低硅基薄膜电池串联电阻的工艺，其特征在于，在PVD工序前，对激光划线后的TCO薄膜进行清洗工序或者等离子轰击工序或者先后执行上述两种工序。

2.如权利要求1所述的一种降低硅基薄膜电池串联电阻的工艺，其特征在于，所述对TCO薄膜进行清洗可以是纯水清洗或清洗液清洗或酸性液体清洗或纯水加毛刷清洗或清洗液加毛刷清洗或其中几种方法的结合。

3.如权利要求1所述的一种降低硅基薄膜电池串联电阻的工艺，其特征在于，所述对TCO薄膜进行等离子轰击是指在镀制背电极之前，使用PVD设备里加入的离子轰击装置，对TCO薄膜进行离子轰击。