[发明专利]一种降低硅基薄膜电池串联电阻的工艺

说明书

技术领域

本发明属于半导体太阳能薄膜电池加工领域，特别涉及一种降低硅基薄膜电池串联电阻的加工工艺。

背景技术

硅基薄膜太阳能电池在生产过程中需要严格的洁净空间，这样才能保证膜层不受到外界污染。但是，背电极在制备过程前，由于激光划线和工厂环境以及反应室污染会产生一定数量的残渣和灰尘颗粒，造成新裸露出来的TCO膜层不能很好的有背电极接触，从而加大了串联电阻。这样，电池的效率就会大打折扣，导致整个太阳能电池性能低下。

现有的PVD工序镀制背电极时，没有对前道工序进行处理。这样，LASER2划线之后新裸露出来的TCO膜层不仅会受到空气中的残渣和灰尘颗粒影响，还会被空气中的水气以及其它气体污染。当PVD镀制AZO(GZO)/Ag背电极时，这样AZO膜层就与受到污染的TCO接触，形成了较大的串联电阻。

发明内容

针对现有技术的不足，本发明提供了一种降低硅基薄膜电池串联电阻的加工工艺。

本发明在现有PVD工序前，对激光划线后的TCO薄膜进行清洗工序或者等离子轰击工序或者先后执行上述两种工序。

所述对TCO薄膜进行清洗可以是纯水清洗或清洗液清洗或酸性液体清洗或纯水加毛刷清洗或清洗液加毛刷清洗或其中几种方法的结合。

通过对TCO薄膜的清洗可以减小激光划线之后新裸露出来的TCO膜层受到空气中的残渣和灰尘颗粒影响，还会减少空气中的水气以及其它气体的污染。

所述对TCO薄膜进行等离子轰击是指在镀制背电极(如沉积AZO/Ag)之前，使用PVD设备里加入的离子轰击装置，对TCO薄膜进行离子轰击。

通过离子轰击工序，可以在TCO薄膜表面产生绒面，增加TCO与后续金属层的接触面积，使TCO薄膜可以与背电极(比如AZO(GZO)/Ag)接触，从而减小串联电阻。

附图说明

图1为本发明流程图

图2为本发明所述离子轰击示意图

具体实施方式

下面通过具体实施例对本发明进行进一步说明。

经过激光划线后的TCO薄膜表面会有一定数量的残渣和灰尘颗粒，造成新裸露出来的TCO膜层不能很好的有背电极接触。

在TCO薄膜进入PVD装置前，用酸性清洗液并使用毛刷对TCO薄膜进行清洗，清除表面的残渣和灰尘颗粒。

如图2所示，在PVD装置中加入离子源轰击装置1，TCO薄膜经过传送带在PVD装置中进行AZO/Ag沉积之前，先通过离子源轰击装置1。离子源轰击装置1发射出的等离子对清洗过后的TCO薄膜进行轰击，是裸露的TCO膜层产生绒面，增加TCO与后续沉积金属层的接触面积，从而减小接触电阻，降低电池的串联电阻。

经过离子轰击后的TCO薄膜在PVD装置中经过AZO源2和Ag源3进行AZO/Ag沉积。

上述对TCO薄膜的清洗工序中还可以是纯水清洗或清洗液清洗或酸性液体清洗或纯水加毛刷清洗或清洗液加毛刷清洗或其中几种方法的结合。