[发明专利]超大功率、超低噪声射频接收前端模块及其制备方法有效

专利信息
申请号: 200910232878.7 申请日: 2009-10-21
公开(公告)号: CN101714884A 公开(公告)日: 2010-05-26
发明(设计)人: 黄贞松;李剑群 申请(专利权)人: 中国电子科技集团公司第五十五研究所
主分类号: H04B7/005 分类号: H04B7/005
代理公司: 南京君陶专利商标代理有限公司 32215 代理人: 沈根水
地址: 210016 *** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明是超大功率、超低噪声射频接收前端模块及其制备方法,其结构在大功率开关的基础上集成低噪放芯片构成接收前端,两通道间切换控制由集成硅驱动芯片实现。制备方法:在高导热的RO4350基板上用银浆粘接AIN衬底、集成硅驱动芯片和PIN二极管芯片;AIN衬底上用银浆粘接大功率PIN二极管芯片;PIN二极管、集成硅驱动芯片与RO4350基板间用键合金丝连接;砷化镓低噪放集成电路芯片用银浆粘接在RO4350基板和ANT-RX通道上构成接收通路。优点:满足TD-SCDMA系统基站功放超大功率切换控制的长时间/极限条件下大功率工作条件,工作安全可靠。满足低噪声系数要求,接收灵敏度和集成度高,成本低,性能优。
搜索关键词: 超大 功率 噪声 射频 接收 前端 模块 及其 制备 方法
【主权项】:
超大功率、超低噪声射频接收前端模块,其特征是ANT-TX通道采用一个低串联电阻、低热阻的大功率PIN二极管作为开关元件,ANT-RX通道采用两个小电容,低串联电阻的中功率PIN二极管作为开关元件;这样制作的开关电路在ANT-TX与ANT-RX两个通道间形成两个不对称通道,两个不对称通道间的切换控制由集成硅驱动芯片实现,在ANT-RX通道后级连接一个砷化镓集成低噪放芯片,构成接收通道。
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