[发明专利]超大功率、超低噪声射频接收前端模块及其制备方法有效

专利信息
申请号: 200910232878.7 申请日: 2009-10-21
公开(公告)号: CN101714884A 公开(公告)日: 2010-05-26
发明(设计)人: 黄贞松;李剑群 申请(专利权)人: 中国电子科技集团公司第五十五研究所
主分类号: H04B7/005 分类号: H04B7/005
代理公司: 南京君陶专利商标代理有限公司 32215 代理人: 沈根水
地址: 210016 *** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 超大 功率 噪声 射频 接收 前端 模块 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.射频接收前端模块,其特征是ANT-TX通道采用一个具有串联电阻 小于0.5欧姆、热阻小于20度/瓦和反向耐压大于200V的PIN二极管作为 开关元件,ANT-RX通道采用两个具有电容小于0.05P、串联电阻小于0.5 欧姆、反向耐压大于150V的PIN二极管作为开关元件,这样制作的开关电 路所形成的ANT-TX通道与ANT-RX通道是不对称的通道,两个不对称通 道间的切换控制由集成硅驱动芯片实现,在ANT-RX通道后级连接一个砷化 镓集成低噪放芯片,构成接收通道。

2.如权利要求1的射频接收前端模块的制备方法,其特征是该方法包 括如下工艺步骤:

一、在导热的RO4350基板上用银浆粘接导热性能的氮化铝AIN衬底、 砷化镓集成低噪放芯片、ANT-RX通道的两个PIN二极管芯片以及集成硅驱 动芯片;

二、在氮化铝AIN衬底上用银浆粘接ANT-TX通道的PIN二极管芯片;

三、ANT-RX通道的两个PIN二极管芯片阳极与RO4350基板之间,集 成硅驱动芯片与RO4350基板之间,砷化镓集成低噪放芯片与RO4350基板 之间均通过直径为25MIL的金丝键合连接。

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