[发明专利]消除GaN厚膜材料表面缺陷的方法有效
| 申请号： | 200910232185.8 | 申请日： | 2009-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN101724910A | 公开（公告）日： | 2010-06-09 |
| 发明（设计）人： | 陆海;石宏彪;修向前;陈鹏;张荣;郑有炓 | 申请（专利权）人： | 南京大学 |
| 主分类号： | C30B33/02 | 分类号： | C30B33/02;H01L21/324 |
| 代理公司： | 南京天翼专利代理有限责任公司 32112 | 代理人： | 王玉梅 |
| 地址： | 210093 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种消除GaN厚膜材料表面缺陷的方法，工艺简单、有效。所述消除GaN厚膜材料表面缺陷的方法为：将GaN厚膜材料置于含氢气和氨气的混合气体气氛中，进行退火处理。其中，混合气体气氛中，氢气体积百分比为0.1％-99.9％，氨气体积百分比为0.1％-99.9％，退火处理在气压为1K～1MPa的混合气体气氛中进行。退火处理的温度为500～1500℃，时间为5秒到500分钟。GaN厚膜材料厚度为5～1000微米之间时，特别适用于本发明。本发明的有益效果有：一、可有效消除GaN厚膜材料表面的缺陷态和抛光损伤；二、可去除GaN厚膜材料表面氧化薄层；三、可使GaN厚膜材料内部可能存在的应力得到一定程度的释放。 | ||
| 搜索关键词： | 消除 gan 材料 表面 缺陷 方法 | ||
【主权项】：
一种消除GaN厚膜材料表面缺陷的方法，其特征在于将GaN厚膜材料置于含氢气和氨气的混合气体气氛中，进行退火处理。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南京大学，未经南京大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200910232185.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：多功能液压手动举升阀
- 下一篇：物探电缆液压收缆臂
