[发明专利]消除GaN厚膜材料表面缺陷的方法有效
| 申请号： | 200910232185.8 | 申请日： | 2009-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN101724910A | 公开（公告）日： | 2010-06-09 |
| 发明（设计）人： | 陆海;石宏彪;修向前;陈鹏;张荣;郑有炓 | 申请（专利权）人： | 南京大学 |
| 主分类号： | C30B33/02 | 分类号： | C30B33/02;H01L21/324 |
| 代理公司： | 南京天翼专利代理有限责任公司 32112 | 代理人： | 王玉梅 |
| 地址： | 210093 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 消除 gan 材料 表面 缺陷 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种消除GaN厚膜材料表面缺陷的方法，其特征在于将GaN厚膜材料置于含氢气和氨 气的混合气体气氛中，进行退火处理，GaN厚膜材料的厚度介于5～1000微米之间；所述混 合气体气氛中，氢气体积百分比为0.1％-99.9％，氨气体积百分比为0.1％-99.9％；所述退火处 理在气压为1K～1M Pa的混合气体气氛中进行；退火处理的温度为500～1500℃，时间为5 秒到500分钟；
上述GaN厚膜材料是指在同质或异质衬底上使用氢化物气相外延制备的附于衬底上或自 支撑的GaN厚膜材料。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，退火处理在III族氮化物半导体的外延生 长腔中原位进行；或在退火炉中进行。
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