[发明专利]具有线源极和线漏极的晶体管有效
| 申请号： | 200910225703.3 | 申请日： | 2009-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN101783365A | 公开（公告）日： | 2010-07-21 |
| 发明（设计）人： | 穆罕默德·本瓦迪赫 | 申请（专利权）人： | 原子能委员会 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/417;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 田军锋;魏金霞 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | 本发明涉及具有线源极和线漏极的晶体管。一种场效应晶体管，至少包括栅极(1)、绝缘体层(2)、漏极(3)、源极(4)、将所述源极(4)连接到所述漏极(3)的半导体材料(50)，所述栅极(1)和所述绝缘体层(2)每个都包围由所述源极(4)、所述漏极(3)以及所述半导体材料所构成的组件，所述绝缘体层(2)设置在所述栅极(1)和所述组件之间。所述漏极(3)和所述源极(4)分别由第一电导体和第二电导体构成，所述第一电导体和第二电导体以平行方式设置且彼此不相连接，所述半导体材料(50)层包围所述第一电导体和第二电导体的整个周界以及它们的至少一部分长度。 | ||
| 搜索关键词： | 有线 线漏极 晶体管 | ||
【主权项】：
一种场效应晶体管，至少包括栅极(1)、绝缘体层(2)、漏极(3)、源极(4)、将所述源极(4)连接到所述漏极(3)的半导体材料(50)，所述栅极(1)和所述绝缘体层(2)每个都包围由所述源极(4)、所述漏极(3)和所述半导体材料所构成的组件，所述绝缘体层(2)设置在所述栅极(1)和所述组件之间，其中，所述漏极(3)和所述源极(4)分别由第一电导体和第二电导体构成，所述第一电导体和第二电导体以平行方式设置且彼此不相连接，所述半导体材料层(50)包围所述第一电导体和第二电导体的整个周界以及它们的至少一部分长度。
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