[发明专利]具有线源极和线漏极的晶体管有效
| 申请号： | 200910225703.3 | 申请日： | 2009-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN101783365A | 公开（公告）日： | 2010-07-21 |
| 发明（设计）人： | 穆罕默德·本瓦迪赫 | 申请（专利权）人： | 原子能委员会 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/417;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 田军锋;魏金霞 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 有线 线漏极 晶体管 | ||
【权利要求书】：
1.一种场效应晶体管，至少包括：
芯部组件，所述芯部组件由漏极、源极、以及与所述源极和所述漏极 二者相接触的半导体材料层构成；
绝缘体层，所述绝缘体层包覆所述芯部组件，以及
电导体层，所述电导体层形成栅极并包覆所述绝缘体层，
其中，所述漏极和所述源极分别由分离的第一电导体和第二电导体构 成，所述第一电导体和第二电导体以平行方式设置，所述半导体材料层包 覆所述第一电导体和第二电导体的整个周界以及它们的至少一部分长度， 所述半导体材料层填充所述第一电导体与所述第二电导体之间的间隙。
2.如权利要求1所述的场效应晶体管，其中，所述场效应晶体管的沟 道长度(L)等于所述半导体层的厚度。
3.如权利要求1和2中的一项所述的场效应晶体管，其中，所述场效 应晶体管的长度(L)在10纳米到1微米之间。
4.如权利要求1和2中的一项所述的场效应晶体管，其中，所述场效 应晶体管的宽度(W)等于所述第一电导体或第二电导体的长度。
5.如权利要求1和2中的一项所述的场效应晶体管，其中，所述第一 电导体和第二电导体呈圆柱形形状。
6.如权利要求1和2中的一项所述的场效应晶体管，其中，所述绝缘 体层的厚度大于100纳米。
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