[发明专利]集成电路有效
| 申请号： | 200910215631.4 | 申请日： | 2009-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN101882616A | 公开（公告）日： | 2010-11-10 |
| 发明（设计）人： | 任东柱 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L23/60 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 康建峰;陈炜 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开了一种集成电路，包括：输入/输出垫，用于与外部电路的信号交换；静电放电(ESD)保护单元，耦合到输入/输出垫并且被配置成在第一电压线和第二电压线之间形成ESD路径；第一驱动晶体管，耦合在第一电压线和输入/输出垫之间；第一驱动控制单元，耦合到第一驱动晶体管的栅极并且被配置成控制第一驱动晶体管；第一虚驱动晶体管，耦合在第一电压线和输入/输出垫之间；以及第一辅助驱动控制单元，被配置成在正常工作模式下将第一电压提供给第一虚驱动晶体管的栅极，而在不供电的非工作模式下将第一虚驱动晶体管的栅极浮置。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 | ||
【主权项】：
一种集成电路，包括：输入/输出垫，用于与外部电路的信号交换；静电放电(ESD)保护单元，耦合到所述输入/输出垫并且被配置成在第一电压线和第二电压线之间形成ESD路径；第一驱动晶体管，耦合在所述第一电压线和所述输入/输出垫之间；第一驱动控制单元，耦合到所述第一驱动晶体管的栅极并且被配置成控制所述第一驱动晶体管；第一虚驱动晶体管，耦合在所述第一电压线和所述输入/输出垫之间；以及第一辅助驱动控制单元，被配置成在正常工作模式下将所述第一电压线的第一电压提供给所述第一虚驱动晶体管的栅极，而在不供电的非工作模式下将所述第一虚驱动晶体管的栅极浮置。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
