[发明专利]无核层封装基板的制法有效
申请号: | 200910212022.3 | 申请日: | 2009-11-06 |
公开(公告)号: | CN102054710B | 公开(公告)日: | 2011-05-11 |
发明(设计)人: | 江仁宏;郑兆孟 | 申请(专利权)人: | 欣兴电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48;H01L23/498 |
代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 冯志云 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种无核层封装基板的制法,此基板包括:一增层结构,具有一第一外侧及一相对的第二外侧,且包括至少一第二介电层,其具有一面向该第一外侧的第一表面及一面向该第二外侧的第二表面、至少一叠置于该第二介电层的该第二表面的第二线路层、及设于该第二介电层中的多个导电盲孔,其中,该第二外侧最外层的该第二线路层具有多个第二电性接触垫;以及一第一线路层,嵌埋且外露于该增层结构第一外侧最外层的该第二介电层的该第一表面,其中,该第一线路层具有多个第一电性接触垫,且该第一线路层通过该增层结构的所述多个导电盲孔电性连接至该第二线路层。因此,本发明可适用于现行机台工艺能力、减少成本等目标,进而提升封装基板可靠度及良率。 | ||
搜索关键词: | 无核 封装 制法 | ||
【主权项】:
一种无核层封装基板的制法,包括以下步骤:提供一承载板,该承载板包括一核心层、一设于该核心层表面的第一介电层、一配置于该第一介电层表面的离型膜、以及一设于该离型膜表面及该第一介电层表面的金属层,其中该离型膜的面积小于该第一介电层,以使该第一介电层具有不为该离型膜覆盖的框状区,且该金属层与该框状区叠接;于该承载板的该金属层上形成一第一线路层,其中该第一线路层具有多个第一电性接触垫;于该第一线路层及该金属层上形成一增层结构,其中,该增层结构包括至少一第二介电层、至少一叠置于该第二介电层表面的第二线路层、及设于该第二介电层中的多个导电盲孔,所述多个导电盲孔电性连接该第一线路层与该第二线路层,且最外层的该第二线路层具有多个第二电性接触垫,其中,该第二介电层的热膨胀系数落于10~30ppm/℃的范围内;对应该离型膜周缘以内切割该增层结构、该金属层、该离型膜、以及该第一介电层,以自该增层结构上移除该承载板,使所述多个第一电性接触垫嵌入并外露于该第二介电层表面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造