[发明专利]无核层封装基板的制法

权利要求书

1.一种无核层封装基板的制法，包括以下步骤：

提供一承载板，该承载板包括一核心层、一设于该核心层表面的第一介 电层、一配置于该第一介电层表面的离型膜、以及一设于该离型膜表面及该 第一介电层表面的金属层，其中该离型膜的面积小于该第一介电层，以使该 第一介电层具有不为该离型膜覆盖的框状区，且该金属层与该框状区叠接；

于该承载板的该金属层上形成一第一线路层，其中该第一线路层具有多 个第一电性接触垫；

于该第一线路层及该金属层上形成一增层结构，其中，该增层结构包括 至少一第二介电层、至少一叠置于该第二介电层表面的第二线路层、及设于 该第二介电层中的多个导电盲孔，所述多个导电盲孔电性连接该第一线路层 与该第二线路层，且最外层的该第二线路层具有多个第二电性接触垫，其中， 该第二介电层的热膨胀系数落于10~30ppm/℃的范围内；

对应该离型膜周缘以内切割该增层结构、该金属层、该离型膜、以及该 第一介电层，以自该增层结构上移除该承载板，使所述多个第一电性接触垫 嵌入并外露于该第二介电层表面。

2.如权利要求1所述的无核层封装基板的制法，还包括于所述多个第一 电性接触垫及所述多个第二电性接触垫上形成一表面处理层。

3.如权利要求2所述的无核层封装基板的制法，其中，该表面处理层选 自锡、银、镍、金、铬/钛、镍/金、镍/钯、镍/钯/金、有机保焊膜、化镍浸金、 化镍化钯浸金、化钯浸金、焊锡及无铅焊锡其中之一。

4.如权利要求1所述的无核层封装基板的制法，其中，该第二介电层的 杨格系数超过8GPa。

5.如权利要求1所述的无核层封装基板的制法，其中，该核心层为一铜 箔基板。

6.如权利要求1所述的无核层封装基板的制法，其中，所述多个第一电 性接触垫为凸块焊垫，且所述多个第二电性接触垫为植球焊垫。

7.如权利要求1所述的无核层封装基板的制法，其中，所述多个第一电 性接触垫为植球焊垫，且所述多个第二电性接触垫为凸块焊垫。

8.一种无核层封装基板的制法，包括以下步骤：

提供一承载板，该承载板包括一核心层、一设于该核心层表面的第一介 电层、一配置于该第一介电层表面的离型膜、以及一设于该离型膜表面及该 第一介电层表面的金属层，其中该离型膜的面积小于该第一介电层，以使该 第一介电层具有不为该离型膜覆盖的框状区，且该金属层与该框状区叠接；

于该承载板的该金属层上形成一第一线路层，其中该第一线路层具有多 个第一电性接触垫；

于该第一线路层及该金属层上形成一增层结构，其中，该增层结构包括 至少一第二介电层、至少一叠置于该第二介电层表面的第二线路层、及设于 该第二介电层中的多个导电盲孔，所述多个导电盲孔电性连接该第一线路层 与该第二线路层，且最外层的该第二线路层具有多个第二电性接触垫，其中， 该第二介电层的热膨胀系数落于10~30ppm/℃的范围内；

于该增层结构表面形成一绝缘保护层，其中，该绝缘保护层具有多个开 孔显露最外层该第二线路层的所述多个第二电性接触垫；以及

对应该离型膜周缘以内切割该绝缘保护层、该增层结构、该金属层、该 离型膜、以及该第一介电层，以自该增层结构上移除该承载板，使所述多个 第一电性接触垫嵌入并外露于该第二介电层表面。

9.如权利要求8所述的无核层封装基板的制法，还包括于该第一电性接 触垫及所述多个开孔显露的所述多个第二电性接触垫上形成一表面处理层。

10.如权利要求8所述的无核层封装基板的制法，于切割之前还包括于所 述多个开孔显露的所述多个第二电性接触垫表面，形成多个电镀金属凸块。

11.如权利要求10所述的无核层封装基板的制法，还包括于该第一电性 接触垫及所述多个电镀金属凸块上形成一表面处理层。

12.如权利要求8所述的无核层封装基板的制法，其中，该第二介电层的 杨格系数超过8GPa。