[发明专利]存储单元结构、存储器阵列及其制造方法

摘要

本发明公开了一种存储单元结构、存储器阵列及其制造方法。本发明的存储单元结构具有嵌入式双栅极鳍状晶体管。该晶体管结构包含有半导体基底，其具有上表面及由该上表面向下延伸的侧壁，其中该侧壁包含垂直上侧壁表面及底部侧壁凹陷结构；第一沟槽填充介电区域，嵌入该半导体基底的该上表面；两漏极/源极区域，形成在该半导体基底的该上表面，分别位于该第一沟槽填充介电区域两侧；鳍状沟道结构，位于该第一沟槽填充介电区域底部，介于该两漏极/源极区域之间；埋入栅极，嵌入该底部侧壁凹陷结构，用来控制该鳍状沟道结构；以及栅极介电层，形成在该底部侧壁凹陷结构的表面，介于该埋入栅极与该半导体基底之间。

主权项

一种制作存储单元阵列的方法，其特征在于包含有：提供半导体基底，其上具有至少一垫层；于该半导体基底中形成多个平行的第一及第二直线型沟槽；于该第一及第二直线型沟槽内填入第一沟槽填充介电材料；于该半导体基底中形成多个第三直线型沟槽，其中该第三直线型沟槽与该第一及第二直线型沟槽交错，如此形成多个上部硅岛；于该上部硅岛的侧壁上形成间隙壁；经由该第三直线型沟槽以自动对准方式蚀刻该半导体基底，形成多个深沟槽；蚀刻各该多个深沟槽的下部，如此在各该上部硅岛下方形成鳍状沟道结构以及在间隙壁正下方形成侧壁凹陷结构；于各该多个深沟槽的下部的表面形成栅极介电层；于该侧壁凹陷结构内形成侧壁埋入字线；于该深沟槽内填入第二沟槽填充介电材料；去除该垫层，如此形成多个凹陷掺杂窗口；将掺杂剂经由该多个凹陷掺杂窗口注入该多个上部硅岛，如此形成漏极/源极区域；以及形成位线与储存电容，使该位线与储存电容分别与相对应的该漏极/源极区域电连结。