[发明专利]半导体元件的制造方法有效
| 申请号： | 200910209931.1 | 申请日： | 2009-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN102054666A | 公开（公告）日： | 2011-05-11 |
| 发明（设计）人： | 简昆峯;周武清;杨祝寿;江美昭;莫启能;罗志伟 | 申请（专利权）人： | 华映视讯(吴江)有限公司;中华映管股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/304;H01L21/306;H01L21/50 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 孙长龙 |
| 地址： | 215217 江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种半导体元件的制造方法。此方法包含如下步骤：提供半导体结构层，其中半导体结构层形成于第一基板上；物理研磨第一基板；蚀刻第一基板；形成第一电极于半导体结构层的第一侧上；形成第二电极于半导体结构层的第二侧上；以及接合半导体结构层和第一基板于一第二基板上。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体元件的制造方法，包含：形成一半导体结构层于一第一基板上；物理研磨该第一基板；蚀刻该第一基板，其中该第一基板在蚀刻后的厚度小于等于10μm；形成一第一电极于该半导体结构层的一第一侧上；形成一第二电极于该半导体结构层的一第二侧上；以及接合该半导体结构层和该第一基板于一第二基板上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
