[发明专利]半导体元件的制造方法

说明书

技术领域

本发明有关于一种半导体元件的制造方法，且特别是有关于可转移半导体元件于软性基板上的制造方法。

背景技术

现今，半导体元件已成为电子产品或装置的必需元件，以发光二极管(Light Emitting Diode，LED)为例，由于发光二极管(Light Emitting Diode；LED)具有生产成本低、结构简单、低耗电、体积小以及安装容易的优势，因而大量运用于照明光源以及显示器技术中。

目前，半导体元件或半导体芯片可接合于一软性基板上，以形成一可挠性电子装置，藉以具有可挠性和轻便可移植性。一般，例如发光二极管等半导体元件或半导体芯片是先制造于一硬性基板上，再利用例如激光剥离(laser lift off)的技术来剥离半导体元件或半导体芯片，藉以转移至软性基板上。

然而，激光容易对半导体元件或半导体芯片的薄膜半导体结构造成破坏，例如容易对量子井或量子点材料产生退火效应，而改变量子井或量子点材料的结构，因而影响半导体元件或半导体芯片的效能。

发明内容

因此本发明的一方面是在于提供一种半导体元件的制造方法，藉以转移半导体元件于所预期的基板上。

本发明的另一方面是在于提供一种半导体元件的制造方法，藉以转移半导体元件于软性基板或可挠性基板上，以具有可挠性和轻便可移植性。

本发明的又一方面是在于提供一种半导体元件的制造方法，藉以取代激光剥离技术，因而可避免激光对于半导体元件的影响，并减少制程成本。

根据本发明的实施例，本发明的半导体元件的制造方法包含如下步骤：形成半导体结构层于第一基板上；物理研磨第一基板；蚀刻第一基板，其中第一基板在蚀刻后的厚度小于等于10μm；形成第一电极于半导体结构层的第一侧上；形成第二电极于半导体结构层的第二侧上；以及接合半导体结构层和第一基板于第二基板上。

因此，本发明的半导体元件的制造方法可可转移半导体元件于所预期的基板上，并可同时确保元件的性能。相较现有的激光剥离技术，本发明的方法可减少制程成本，且方法步骤较为简易实施。

附图说明

为让本发明的上述和其它目的、特征、优点与实施例能更明显易懂，所附图式的详细说明如下：

图1A至图1F绘示依照本发明的一实施例的半导体元件的制程剖面图。

图2绘示依照本发明的一实施例的半导体元件的剖面示意图。

图3绘示公知发光二极管与本发明的半导体元件的光激荧光光谱量测图。

具体实施方式

为让本发明的上述和其它目的、特征、优点与实施例能更明显易懂，本说明书将特举出一系列实施例来加以说明。但值得注意的是，此些实施例只是用以说明本发明的实施方式，而非用以限定本发明。

请参照图1A至图1F，其绘示依照本发明的一实施例的半导体元件的制程剖面图。本实施例的半导体元件的制造方法可转移半导体元件100于一预期的基板上，例如软性基板或可挠性基板上。此半导体元件100例如为发光二极管、激光二极管、太阳能电池、光检测器、双极性晶体管(BJT)、金氧半晶体管(MOS)、互补式金氧半晶体管(CMOS)、高功率晶体管、异质接面晶体管(HBT)或高电子移动率晶体管(HEMT)。在另一些实施例中，半导体元件100亦可为集成电路芯片。请先参照图1F。在本实施例中，半导体元件100包含半导体结构层110、第一基板120、第二基板130、第一电极140、第二电极150及接合层160，其中第二电极150、接合层160、第一基板120、半导体结构层110及第一电极140可依序地堆栈设置于第二基板130上。