[发明专利]半导体元件的制造方法有效
| 申请号： | 200910209931.1 | 申请日： | 2009-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN102054666A | 公开（公告）日： | 2011-05-11 |
| 发明（设计）人： | 简昆峯;周武清;杨祝寿;江美昭;莫启能;罗志伟 | 申请（专利权）人： | 华映视讯(吴江)有限公司;中华映管股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/304;H01L21/306;H01L21/50 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 孙长龙 |
| 地址： | 215217 江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 制造 方法 | ||
1.一种半导体元件的制造方法，包含：
形成一半导体结构层于一第一基板上；
物理研磨该第一基板；
蚀刻该第一基板，其中该第一基板在蚀刻后的厚度小于等于10μm；
形成一第一电极于该半导体结构层的一第一侧上；
形成一第二电极于该半导体结构层的一第二侧上；以及
接合该半导体结构层和该第一基板于一第二基板上。
2.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，该第二电极是预先形成于该第二基板上，该第一基板再接合于该第二基板上的第二电极，以形成该第二电极于该半导体结构层的该第二侧上。
3.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，该半导体元件为发光二极管、激光二极管、太阳能电池、光检测器、双极性晶体管BJT、金氧半晶体管MOS、互补式金氧半晶体管CMOS、高功率晶体管、异质接面晶体管HBT或高电子移动率晶体管HEMT。
4.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，该第一基板的材料为砷化镓GaAs、硅、碳化硅SiC、氮化铝基板、磷化铟或磷化镓。
5.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，还包含：
在该物理研磨步骤前，接合该半导体结构层于一暂时基板上；以及
在该蚀刻步骤后，剥离该暂时基板。
6.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，在该物理研磨步骤后，该半导体结构层和该第一基板的厚度小于等于50μm。
7.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，在该物理研磨步骤后，该半导体结构层和该第一基板的厚度小于等于20μm。
8.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，该蚀刻步骤使用一化学蚀刻液，该化学蚀刻液为H2O2+NaOH溶液。
9.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，该蚀刻步骤使用一化学蚀刻液，该化学蚀刻液对于该第一基板的蚀刻速率大于该化学蚀刻液对于该半导体结构层的蚀刻速率。
10.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，控制蚀刻时间，以调整该第一基板的厚度，在该蚀刻步骤后，该第一基板的厚度为1μm-5μm。
11.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，在该接合该半导体结构层和该第一基板于该第二基板上的步骤中，该半导体结构层与该第一基板利用一接合层来接合于该第二基板上。
12.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，
该第二基板为一软性基板，或
该第二基板为一高散热性基板和一印刷电路板的其中之一。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
